自适应半圆选择栅极偏置制造技术

本发明专利技术提供了一种存储器装置和操作方法。该装置包括连接到字线并布置成串的存储器单元。串中的每个串具有在连接到多个位线中的一个位线的漏极侧上的漏极侧选择栅极晶体管。控制部件耦接到字线和多个位线以及漏极侧选择栅极晶体管。控制部件确定存储器单元的多个分组中的每个分组的唯一选择栅极电压，该唯一选择栅极电压单独适用于多个分组中的每个分组。然后，控制部件将唯一选择栅极电压施加到存储器单元的多个分组中的每个分组的串中的选定串的漏极侧选择栅极晶体管上，以在存储器操作期间导通串中的选定串的漏极侧选择栅极晶体管。管。管。

【技术实现步骤摘要】
自适应半圆选择栅极偏置


[0001]本申请涉及非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作。

技术介绍

[0002]本节段提供与本公开相关联的技术相关的背景信息，并且由此不一定为现有技术。
[0003]半圆漏极侧选择栅极(“SC
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SGD”)存储器技术提供若干优点，包括减小的裸片尺寸。为了生产SC
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SGD，使用蚀刻技术来切割存储器孔，从而赋予它们半圆形形状，并将块或行分成若干串。取决于用于形成SC
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SGD的工艺，可能出现某些低效率。例如，切割存储器孔将移除SC
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SGD的至少一些部分，诸如金属层，否则其屏蔽沟道和/或电荷俘获层的电场。因此，SC
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SGD可能受“相邻”电场的影响，并且可能发生电荷迁移。此外，由于蚀刻变化，一些裸片可能被切割成SGD层，而其它裸片可能被切割成形成虚设字线的层。因此，由于电荷迁移，可能难以选择施加到漏极侧选择栅极的偏置。因此，需要改进的非易失性存储器装置和操作方法。

技术实现思路

[0004]本节段提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：存储器单元，所述存储器单元连接到多个字线中的一个字线，并且被布置成串和被配置成保持阈值电压；所述串中的每一个串具有至少一个漏极侧选择栅极晶体管，所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管在连接到多个位线中的一个位线的所述一个串的漏极侧上并且耦接到所述一个串的所述存储器单元；和控制部件，所述控制部件耦接到所述多个字线和所述多个位线以及所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管，并且被配置成：确定所述存储器单元的多个分组中的每个分组的唯一选择栅极电压，所述唯一选择栅极电压单独适用于所述存储器单元的所述多个分组中的每个分组，并且将所述唯一选择栅极电压施加到所述存储器单元的所述多个分组中的每个分组的所述串中的选定串的所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管上，以在存储器操作期间导通所述串中的所述选定串的所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器单元的所述多个分组包括各自包括多个所述存储器单元的多个块。3.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括多个存储器裸片，所述多个存储器裸片包括所述存储器单元，并且其中所述存储器单元的所述多个分组包括各自在物理上彼此分开地设置的所述多个存储器裸片。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制部件还被配置成基于所述存储器单元的所述多个分组中的每个分组的所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管的晶体管阈值电压自适应地调整所述唯一选择栅极电压。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管被配置成保持晶体管阈值电压，并且所述控制部件还被配置成：响应于接收到选择栅极偏置搜索命令，将检测阈值电压初始化为预定检测阈值电压；将施加到所述存储器单元的所述多个分组中的每个分组的所述串的所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管的选择栅极电压设置为所述检测阈值电压；对所述存储器单元的所述多个分组中的每个分组的所述串的所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管中具有高于所述检测阈值电压的所述晶体管阈值电压的漏极侧选择栅极量进行计数；确定所述漏极侧选择栅极量是否大于漏极侧选择栅极量检测阈值；响应于所述漏极侧选择栅极量不大于漏极侧选择栅极量检测阈值，通过Δ检测阈值电压递减所述检测阈值电压并返回将施加到所述存储器单元的所述多个分组中的每个分组的所述串的所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管的所述选择栅极电压设置为所述检测阈值电压；响应于所述漏极侧选择栅极量大于漏极侧选择栅极量检测阈值，将所述唯一选择栅极电压设置为等于所述检测阈值电压加上预定固定过驱动电压的自适应选择栅极电压；并且完成选择栅极偏置搜索。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制部件还被配置成周期性地确定所述存储器单元的所述多个分组中的每个分组的所述唯一选择栅极电压。
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制部件还被配置为：将循环计数计为等于针对所述存储器单元的所述多个分组中的一个或多个分组的所述存储器单元已执行所述存储器操作的次数；确定所述循环计数是否超过预定循环计数阈值；并且响应于所述循环计数超过所述预定循环计数阈值而确定所述存储器单元的所述多个分组中的每个分组的所述唯一选择栅极电压。8.一种与存储器装置通信的控制器，所述存储器装置包含连接到多个字线中的一个字线并且被布置成串和被配置成保持阈值电压的存储器单元，所述串中的每一个串具有至少一个漏极侧选择栅极晶体管，所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管在连接到多个位线中的一个位线的所述一个串的漏极侧上并且耦接到所述一个串的所述存储器单元，所述控制器被配置成：确定所述存储器单元的多个分组中的每个分组的唯一选择栅极电压，所述唯一选择栅极电压单独适用于所述存储器单元的所述多个分组中的每个分组，并且指示所述存储器装置将所述唯一选择栅极电压施加到所述存储器单元的所述多个分组中的每个分组的所述串中的选定串的所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管上，以在存储器操作期间导通所述串中的所述选定串的所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管。9.根据权利要求8所述的控制器，其中所述存储器单元的所述多个分组包括各自包括多个所述存储器单元的多个块。10.根据权利要求8所述的控制器，其中所述存储器装置还包括多个存储器裸片，所述多个存储器裸片包括所述存储器单元，并且其中所述存储器单元的所述多个分组包括各自在物理上彼此分开地设置的所述多个存储器裸片。11.根据权利要求8所述的控制器，其中所述控制器还被配置成指示所述存储器装置基于所述存储器单元的所述多个分组中的每个分组的所述至少一个漏极侧选择栅极晶体管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨翔，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：