一种深紫外发光二极管的封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种深紫外发光二极管的封装结构及其制备方法，包括封装支架和深紫外发光二极管芯片，封装支架包括凹槽，深紫外发光二极管芯片位于凹槽内，其中，封装支架还包括焊盘组件以及设置于焊盘组件上的金属镀层，金属镀层用于将深紫外发光二极管芯片与焊盘组件焊接，金属镀层在焊盘组件上的正投影与焊盘组件重合；本发明专利技术提供的深紫外发光二极管的封装结构通过金属镀层将深紫外发光二极管芯片与焊盘组件焊接，且金属镀层在焊盘组件上的正投影与焊盘组件重合，以在后续焊接工艺中避免产生焊料残留于深紫外发光二极管芯片的侧面，从而避免深紫外发光二极管芯片发生漏电短路现象，进而提高了深紫外发光二极管的封装结构的生产良率。的生产良率。的生产良率。

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外发光二极管的封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体光电领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管的封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]深紫外发光二极管因其高效、环保、节能、可靠等优势，在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大的应用价值，这些优势是普通的紫外发光二极管所无法比拟的。目前由于深紫外发光二极管封装组件中陶瓷支架成本较高，所以应用推广速度受到极大影响。为了降低支架成本，不少技术人员尝试了采用常规塑料支架直接将芯片焊接到印刷线路板的方法。其中，常规塑料支架能够耐受的最高温度只有265℃，所以无法完成金锡共晶工艺，只能采用锡膏焊接工艺将深紫外发光二极管芯片与封装支架进行连接，但是锡膏焊接工艺在回流后锡球熔化不完全，会使部分锡球残留到深紫外发光二极管芯片的侧面，导致大量漏电短路现象。
[0003]因此，亟需一种深紫外发光二极管及其制备方法以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种深紫外发光二极管的封装结构及其制备方法，用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外发光二极管的封装结构，其特征在于，包括封装支架和深紫外发光二极管芯片，所述封装支架包括凹槽，所述深紫外发光二极管芯片位于所述凹槽内；其中，所述封装支架还包括焊盘组件以及设置于所述焊盘组件上的金属镀层，所述金属镀层用于将所述深紫外发光二极管芯片与所述焊盘组件焊接；所述金属镀层在所述焊盘组件上的正投影与所述焊盘组件重合。2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管的封装结构，其特征在于，所述金属镀层的材料包括锡、锡铅合金、锡铋合金、锡锑合金、锡银铜合金以及锡银合金中的任意一种。3.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管的封装结构，其特征在于，所述金属镀层的厚度范围在1μm至20μm之间。4.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管的封装结构，其特征在于，所述焊盘组件包括第一焊盘以及与所述第一焊盘间隔设置的第二焊盘，所述深紫外发光二极管芯片包括第一电极以及第二电极；其中，所述第一电极通过所述金属镀层与所述第一焊盘电性连接，所述第二电极通过所述金属镀层与所述第二焊盘电性连接。5.根据权利要求4所述的深紫外发光二极管的封装结构，其特征在于，所述第一电极以及所述第二电极的材料均为第一金属材料，所述第一金属材料的熔点小于或者等于245。6.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管的封装结构，其特征在于，所述封装支架的耐受温度小于或者等...

【专利技术属性】
技术研发人员：白生茂，李磅，许璐，金利，王磊，王永忠，
申请(专利权)人：湖北深紫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：