半导体器件制造技术

一种半导体器件包括被布置在芯片上的输入/输出单元、IO电源单元、核心电源单元和核心逻辑电路，并且核心电源单元包括ESD保护电路。输入/输出单元包括电平移位器电路，并且电平移位器电路被布置在输入/输出单元中。核心逻辑电路被布置在输入/输出单元的外部。核心电源单元未被布置在与输入/输出单元相同的行中，而是被布置在于第一区域与第二区域之间设置的第三区域中，在第一区域中布置输入/输出单元和IO电源单元，在第二区域中布置核心逻辑电路。电路。电路。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]于2021年10月29日提交的日本专利申请No.2021
‑
178382的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用被整体并入本文中。


[0003]本公开涉及一种半导体器件，并且提供一种有效地应用于具有ESD(静电放电)保护电路的半导体器件的技术。

技术介绍

[0004]如在日本未审专利申请公开No.2020
‑
161721(专利文件1)中所述，已知一种半导体器件，其中从半导体器件的外部输入到输入/输出焊盘电极的信号经由包括ESD保护元件(也称为ESD保护电路)和输入逻辑电路输入/输出单元以及电平移位电路的被循序地传送到内部电路。此外，如在国际专利公开No.2016/203648(专利文件2)中所述，已知一种半导体器件，其中输入/输出单元和电源单元被布置在沿半导体芯片的外围端而设置的IO区域中，并且内部电路被设置在由半导体芯片的IO区域围绕的中心区域中。
[0005]下面列出了所公开的技术。
[0006][专利文件1]日本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，在所述半导体器件中输入/输出单元、IO电源单元、核心电源单元以及核心逻辑电路被布置在芯片上，其中所述核心电源单元包括ESD保护电路，其中所述输入/输出单元包括电平移位器电路，并且所述电平移位器电路被布置在所述输入/输出单元中，其中所述核心逻辑电路被布置在所述输入/输出单元的外部，并且其中所述核心电源单元未被布置在与所述输入/输出单元相同的行中，而是被布置在于第一区域与第二区域之间设置的第三区域中，所述输入/输出单元和所述IO电源单元被布置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：森下泰之，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：