【技术实现步骤摘要】
半导体封装
[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种半导体封装。
技术介绍
[0002]为了保护晶粒(die)的电路不被静电放电(electrostatic discharge,ESD)损坏,一个或多个ESD保护电路设计在晶粒内,以通过ESD规范的人体模型(human body model,HBM)和充电设备模型(charged device model,CDM)。但是,晶粒级ESD保护电路通常具有较高的寄生效应(parasitic effect);如果晶粒级ESD保护电路设计成更小的尺寸以降低寄生效应,那么晶粒级ESD保护电路对于高速射频(radio
‑
frequency,RF)设计将不会具有良好的ESD鲁棒性(robustness)。
技术实现思路
[0003]有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种半导体封装,具有封装级ESD设计,半导体封装的寄生效应更低,ESD鲁棒性更好,以解决上述问题。
[0004]根据本专利技术的第一方面,公开一种半导体封装,包括:
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装,其特征在于,包括:第一焊盘,用于接收来自封装外部的装置的信号或将来自内部电路的信号传输到封装外部的装置;晶粒,包括第二焊盘和内部电路,其中该内部电路配置为通过该第二焊盘从该第一焊盘接收该信号或通过该第二焊盘将该信号传输到该第一焊盘;以及至少一个封装静电放电部件,其中该至少一个封装静电放电部件位于该晶粒外部。2.如权利要求1所述的半导体封裝,其特征在于,该至少一个封装静电放电部件包括耦合在该第一焊盘和接地电压之间的封装静电放电导电部件。3.如权利要求2所述的半导体封裝,其特征在于,该封装静电放电导电部件包括电感,该电感的第一节点耦接该第一焊盘,该电感的第二节点耦接该接地电压。4.如权利要求3所述的半导体封裝,其特征在于,该信号是模拟或数字或射频信号,该封装静电放电导电部件用作高通滤波器以将静电放电电流旁路,并且该晶粒包括配置为处理该模拟或数字信号或射频信号的电路。5.如权利要求2所述的半导体封裝,其特征在于,该封装静电放电导电部件包括并联的至少一个正向二极管和至少一个反向二极管。6.如权利要求2所述的半导体封裝,其特征在于,该封装静电放电导电部件包括串联的电...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖昱程,黄柏狮,饶哲源,林义杰,
申请(专利权)人:联发科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。