一种大功率射频器件增强散热的封装结构及制备方法技术

本发明专利技术的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，包括：芯片本体、上散热器、下散热器，芯片本体上端设置有上散热器，芯片本体下端设置有下散热器，上散热器与下散热器通过塑封壳封装，上散热器与下散热器延伸出塑封壳之外。芯片工作产生的热量通过上下散热器传出，散热效率大大提升。多个芯片连接柱可以适用多颗芯片封装，同时粘接胶选用高导热性绝缘胶增加对不同类型芯片的适用性。凸起设计增加散热器与塑封料的结合度，同时减少外界湿气对芯片的腐蚀增加封装电气隔离，使芯片可靠性大大提升。连接柱与散热器选用铜材料、铜

【技术实现步骤摘要】
一种大功率射频器件增强散热的封装结构及制备方法


[0001]本专利技术属于集成电路封装
，具体涉及一种大功率射频器件增强散热的封装结构及制备方法。

技术介绍

[0002]目前针对大功率射频器件，市面上多采用陶瓷封装，但是陶瓷封装成本较高，所以各研究机构都在研究使用塑料封装代替陶瓷封装，塑料封装成本较低，利于5G应用的大规模推广。而塑封料的导热性不如陶瓷材料，因此提升塑料封装的大功率射频器件的散热能力是有必要的。
[0003]公开号为CN113972201A的专利，公开了一种大功率射频器件的封装结构，包括多个并联的射频功率芯片和封装法兰，所述多个射频功率芯片倾斜设置在封装法兰的封装内腔内，减少射频功率芯片的输入引线数量，使得输入引线和输出引线在空间上不交叠。多颗芯片倾斜排列在封装法兰上，显著提高了封装空间利用率，达到更大功率输出目的。通过少量减少中间射频功率芯片的输入引线数量，可以使输出引线不会有减少，可以保障大功率应用过程的可靠性，而且避免了输入引线和输出引线在空间上的大面积交叠，降低互感有效避免射频功率器件发生震荡。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，包括：芯片本体（1）、上散热器（2）、下散热器（3），芯片本体（1）上端设置有上散热器（2），芯片本体（1）下端设置有下散热器（3），上散热器（2）与下散热器（3）通过塑封壳（4）封装，上散热器（2）与下散热器（3）延伸出塑封壳（4）之外。2.根据权利要求1所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，下散热器（3）上端设置有基岛（5），基岛（5）与芯片本体（1）下表面通过第一装片胶（6）粘接，芯片本体（1）上表面通过第二装片胶（7）与芯片连接柱（8）一端连接，芯片连接柱（8）另一端与上散热器（2）连接。3.根据权利要求1所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，引线（9）一端与芯片本体（1）电性连接，引线（9）另一端与管脚（10）一端电性连接，管脚（10）另一端延伸出塑封壳（4）之外。4.根据权利要求1所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，上散热器（2）与基岛（5）通过基岛连接柱（11）连接，基岛连接柱（11）的连接区域采用高导热性胶或者锡膏。5.根据权利要求1所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，上散热器（2）两侧设置有凸块（12），塑封壳（4）上设置有凹洞（13），凸块（12）安装在凹洞（13）内。6.根据权利要求1所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，上散热器（2）上设置有壳体（14），壳体（14）顶端设置有储液箱（15），储液箱（15）内壁顶部设置有海绵垫（16），海绵垫（16）与储液箱（15）通过输液孔（17）连通，上散热器（2）顶端设置有底座（18），底座（18）上设置有圆盘（19），圆盘（19）顶端设置有圆环（20），圆环（20）上间隔设置有三个齿槽（21），圆盘（19）的周向外壁与支撑柱（22）一端连接，支撑柱（22）另一端与竖直方向的弹性拨杆（23）一端连接，弹性拨杆（23）另一端向上。7.根据权利要求6所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，圆盘（19）顶端圆心处设置有第一电机（24），第一电机（24）输出轴与转块（25）底端连接，转轴（26）一端与转块（25）...

【专利技术属性】
技术研发人员：豆保亮，曹周，陈勇，蔡择贤，李佛琳，黄炜源，张怡，郑雪平，
申请(专利权)人：广东气派科技有限公司，
类型：发明
国别省市：