用于高功率密度应用的功率转换器制造技术

一种功率半导体封装包括一个引线框架、一个半导体芯片和一个模制封装。所述引线框架包括升高的部分，所述升高的部分包括源极部分；排水部分；以及多个引线。半导体芯片包括布置在引线框架上的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。半导体芯片包括源极电极、漏极电极和栅极电极。半导体芯片的源极电极与引线框的升高部分的源极部分电连接和机械连接。半导体芯片用作低端场效应晶体管，作为通过第一热界面材料连接到散热器的翻转芯片。高端场效应晶体管通过第二热界面材料连接到散热器。低端场效应晶体管和高端场效应晶体管安装在印刷电路板上。电路板上。电路板上。

【技术实现步骤摘要】
用于高功率密度应用的功率转换器


[0001]本专利技术一般涉及一种用于高功率密度应用的功率转换器。更具体地说，本专利技术涉及一种功率转换器，具有减少电磁干扰(EMI)发射的散热器。

技术介绍

[0002]近几年来，功率转换器的功率密度目标已提高到更高的水平。高功率密度应用指每立方米超过1200千瓦。例如，功率密度为1500千瓦/立方米的USB
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C充电器被视为一种高功率密度应用。例如，功率密度为3000千瓦/立方米的电动汽车车载充电器被视为一种高功率密度应用。如图1所示，两个场效应晶体管(FET)通常串联连接，作为功率转换器应用的高端FET和低端FET。针对高功率密度应用的功率转换器的要求不仅包括FET组件级，还包括转换器组件级，更低的封装寄生电容和电感；降低电磁干扰(EMI)噪声；更好的散热能力；以及更容易的印刷电路板设计。
[0003]传统的功率转换器在高功率密度应用中会遇到高EMI噪声。这导致开关频率降低(例如，降低到75％)和热界面材料厚度增加(例如，从50微米到100微米)，从而降低散热效率、功率密度和功率转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率密度功率转换器，包括：一个印刷电路板，包括多个相互隔绝的接触垫，多个接触垫含有一个高端漏极垫和一个低端源极垫；一个高端场效应晶体管，安装在印刷电路板上，所述的高端场效应晶体管包括一个高端漏极引线，导电连接到印刷电路板的高端漏极垫；以及一个顶部漏极电极，导电连接到高端漏极引线；一个低端场效应晶体管，安装在印刷电路板上，所述的低端场效应晶体管包括一个低端漏极引线，导电连接到印刷电路板的低端源极垫；以及一个顶部漏极电极，导电连接到低端源极引线；一个散热器，放置在高端场效应晶体管和低端场效应晶体管上方；一个第一热界面材料层，其将所述高端场效应晶体管的顶部漏极电极耦合到所述散热器；以及一个第二热界面材料层，其将所述高端场效应晶体管的顶部漏极电极耦合到所述散热器。2.权利要求1所述的高功率密度功率转换器，其中印刷电路板的多个接触垫还包括一个开关节点垫；其中高端场效应晶体管还包括一个高端源极引线，连接到印刷电路板的开关节点上；并且其中低端场效应晶体管还包括一个低端漏极引线，连接到开关节点垫上。3.权利要求2所述的高功率密度功率转换器，其中印刷电路板的多个接触垫还包括一个高端栅极垫和一个低端栅极垫；其中高端场效应晶体管还包括一个高端栅极引线，连接到印刷电路板的高端栅极垫上；并且其中低端场效应晶体管还包括一个低端栅极引线，连接到印刷电路板的低端栅极垫上。4.权利要求2所述的高功率密度功率转换器，其中高端场效应晶体管和低端场效应晶体管安装在印刷电路板的顶面上；其中高端场效应晶体管夹在印刷电路板和散热器之间；并且其中高端场效应晶体管夹在印刷电路板和散热器之间。5.权利要求4所述的高功率密度功率转换器，其中散热器包括一个面向印刷电路板顶面的底面；并且其中散热器的底面平行于印刷电路板...

【专利技术属性】
技术研发人员：余子威，陈霖，牛志强，
申请(专利权)人：万国半导体国际有限合伙公司，
类型：发明
国别省市：