太阳能电池的制备方法和太阳能电池技术

本申请提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。制备方法包括如下的步骤：在硅基底的至少一个表面沉积第一薄膜层；在第一薄膜层之上继续沉积第二薄膜层，其中，沉积第一薄膜层和沉积第二薄膜层的操作在50～400℃的温度条件下进行。本发明专利技术的太阳能电池的制备方法和太阳能电池可以在较低温度下实现晶硅太阳能电池表面钝化，延长少子寿命，不影响折射率和效率，并且不影响产能。并且不影响产能。并且不影响产能。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法和太阳能电池


[0001]本申请主要涉及光伏电池领域，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。

技术介绍

[0002]经过大量科学研究发现，在制备晶硅太阳能电池的工艺过程中，由于硅材料本身所具有的特性，大量的缺陷态、表面态及杂质等会在硅的能带间隙形成多余的能级而成为复合中心，这些复合中心会复合大量的光生载流子，光生载流子的减少，会对晶硅太阳能电池效率的提升有一个明显的限制作用。为了克服这一难题，研究人员发现对电池表面进行钝化可很好的改善这一缺陷。也正是由于钝化技术的发展，才有了第一块转换效率突破20％的太阳能电池的出现。
[0003]目前，在太阳能电池研究领域，晶硅太阳能电池还是占据主导地位。而人们在对如何提升晶硅太阳能效率的研究中发现，降低硅片表面复合速率对太阳能电池效率的提升至关重要。因此，钝化材料和钝化方法的选择也就尤为关键。传统钝化过程需要的温度较高，约为1100℃左右，如此高温对硅材料来说，这也大大降低了硅片中载流子的体寿命，使得其对太阳能电池效率的提升效果有限。并且由于高温在工业生产中对设备要求较高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下的步骤：在硅基底的至少一个表面沉积第一薄膜层；在所述第一薄膜层之上继续沉积第二薄膜层，其中，所述沉积第一薄膜层和所述沉积第二薄膜层的操作在50～400℃的温度条件下进行。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜层包括非晶硅，且所述第二薄膜层包括氮化硅。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括在沉积所述第一薄膜层时，控制所述第一薄膜层的厚度为2～100nm。4.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，还包括在50℃的温度条件下沉积所述第一薄膜层，以获得厚度为10～15nm的第一薄膜层。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括在沉积所述第二薄膜层时，控制所述第二薄膜层的厚度为72～100nm。6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述沉积第二薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏斯阳，李松江，董龙辉，苏晓峰，卞强，简磊，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：