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本申请提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。制备方法包括如下的步骤：在硅基底的至少一个表面沉积第一薄膜层；在第一薄膜层之上继续沉积第二薄膜层，其中，沉积第一薄膜层和沉积第二薄膜层的操作在50～400℃的温度条件下进行。本发明的太阳能电...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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