选择性发射极的制备方法和太阳能电池技术

本申请提供一种选择性发射极的制备方法和太阳能电池。该制备方法包括步骤：提供硅衬底；对硅衬底的受光面进行掺杂处理，以形成掺杂层和覆盖掺杂层的掩膜层；对掩膜层进行刻蚀，以形成图案化的掩膜层，图案化的掩膜层覆盖电极区的掺杂层，并暴露出非电极区的掺杂层；以图案化的掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的非电极区的掺杂层，其中，被刻蚀后的非电极区的掺杂层中掺杂剂的浓度大于电极区的掺杂层中掺杂剂的浓度。本申请的选择性发射极的制备方法通过先形成重掺杂的掺杂层，然后通过图案化的掩膜层制备轻掺杂的非电极区的掺杂层和重掺杂的电极区的方法制备选择性电极具有工艺步骤简单成本低的优势。步骤简单成本低的优势。

【技术实现步骤摘要】
选择性发射极的制备方法和太阳能电池


[0001]本申请主要涉及光伏领域，具体地涉及一种选择性发射极的制备方法和太阳能电池。

技术介绍

[0002]太阳能电池的选择性发射极(selective emitter,SE)指的是在金属栅线(电极)与硅衬底接触部分进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。具有选择性发射极结构的太阳能电池可有效地降低电极与硅片之间的接触电阻及金属复合，提高开路电压。同时非接触区域即轻掺杂区的俄歇复合降低且短波量子效率有效提高，从而提高其短路电流。
[0003]对于n型硅衬底，目前制造选择性发射极的工艺方法主要是二次硼扩散和一次硼扩散。其中，二次硼扩散工艺需要将硅衬底两次进入扩散炉，其经济性较差。一次硼扩散工艺需要将硅衬底进入扩散炉一次，然后使用激光来诱导重掺杂硼，一次硼扩散工艺要求硼源具有较高的硼浓度，且激光诱导会对硅衬底造成损伤。
[0004]所以，如何低成本且对硅衬底无损伤地制造选择性发射极是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本申请要解决的技术问题是提供一种选择性发射极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供硅衬底；对所述硅衬底的受光面进行掺杂处理，以形成掺杂层和覆盖所述掺杂层的掩膜层；对所述掩膜层进行刻蚀，以形成图案化的掩膜层，所述图案化的掩膜层覆盖电极区的掺杂层，并暴露出非电极区的掺杂层；以及以所述图案化的掩膜层为掩膜，刻蚀部分厚度的所述非电极区的掺杂层，其中，所述电极区的掺杂层中掺杂剂的浓度大于被刻蚀后的所述非电极区的掺杂层中所述掺杂剂的浓度。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅衬底为n型单晶硅衬底，所述掺杂剂包括硼元素。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为硼硅玻璃。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对所述硅衬底的受光面进行掺杂处理前还包括：对所述硅衬底的所述受光面进行首次制绒处理，以形成金字塔绒面。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用二次制绒方法刻蚀部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：张倬涵，周志勇，胡匀匀，李宏伟，季雯娴，徐冠超，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：