一种大面积碲化镉薄膜芯片的退火装置、制备方法及一种退火方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种大面积碲化镉薄膜芯片的退火装置、制备方法及一种退火方法，涉及太阳能技术领域，解决了现有的大面积碲化镉薄膜芯片装置退火不均的问题。退火装置，包括退火炉，所述退火炉内设有通道，所述通道内设有芯片传输钢带；所述芯片传输钢带的上方及下方分别设有第一加热装置及第二加热装置；芯片传输钢带的两侧分别设有第一补偿加热器及第二补偿加热器，所述第一补偿加热器及所述第二补偿加热器固定在退火炉内壁上用于对所述芯片传输钢带进行补偿加热。本发明专利技术还提供了此装置的制备方法，及一种退火方法。本发明专利技术可以有效补偿退火炉两侧的热量损失，保证芯片在退火炉设备中前进时横向的温场均匀性，提升退火一致性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种大面积碲化镉薄膜芯片的退火装置、制备方法及一种退火方法


[0001]本专利技术涉及太阳能
，具体为一种大面积碲化镉薄膜芯片的退火装置、制备方法及一种退火方法。

技术介绍

[0002]传统的大面积碲化镉薄膜芯片的高温退火工艺，通常采用超长的通道式高温炉，四周采用相应的保温材料进行保温，碲化镉薄膜芯片通过钢带传输，为了保证芯片在传输过程中的横向温场均匀性，通常采用横向的超长管式加热器均匀分布在芯片的上方和下方，以保证芯片上下表面的加热效果。
[0003]而左右位置由于散热过快的关系，加热器的设计通常无法保证及时有效的补偿损失热量，两侧温度会略低于中间位置的温度，从而破坏芯片前进过程中的横向温场均匀性，导致大面积的碲化镉薄膜芯片出现不同位置退火状态不一致的情况。
[0004]可见，现有的大面积碲化镉薄膜芯片装置存在退火不均的缺陷。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在解决现有的大面积碲化镉薄膜芯片装置退火不均的问题，本专利技术设计了一种大面积碲化镉薄膜芯片的退火装置、制备方法及一种退火方法，可以有效补偿退本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大面积碲化镉薄膜芯片的退火装置，其特征在于，包括退火炉，所述退火炉内设有通道，所述通道内设有芯片传输钢带；所述芯片传输钢带的上方及下方分别设有第一加热装置及第二加热装置；芯片传输钢带的两侧分别设有第一补偿加热器及第二补偿加热器，所述第一补偿加热器及所述第二补偿加热器固定在退火炉内壁上用于对所述芯片传输钢带进行补偿加热。2.根据权利要求1所述的一种大面积碲化镉薄膜芯片的退火装置，其特征在于，所述通道的截面为长方形、正方形、梯形或圆形。3.根据权利要求1所述的一种大面积碲化镉薄膜芯片的退火装置，其特征在于，所述第一加热装置及所述第二加热装置为均匀设置的数个管式加热器。4.根据权利要求3所述的一种大面积碲化镉薄膜芯片的退火装置，其特征在于，每个所述管式加热器的间距为10～20cm。5.基于权利要求1～4任一项所述的一种大面积碲化镉薄膜芯片的退火装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供内部具有通道的退火炉；S2、在通道内设置芯片传输钢带，并在芯片传输钢带的上方及下方分别设置第一加热装置及第二加热装置，得到第一预制件；S3、在第一预制件的芯片传输钢带的两侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊建平，杨欢，张庆丰，傅干华，潘锦功，
申请(专利权)人：成都中建材光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：