一种异质结电池的制备方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池的制备技术领域，具体提供一种异质结电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层；对半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理，以使得至少半导体衬底层的背面形成光面；在半导体衬底层的背面形成第一掺杂半导体层；以第一掺杂半导体层对半导体衬底层的背面保护，在半导体衬底层的正面进行制绒处理，使得半导体衬底层的正面形成减反射绒面；在半导体衬底层的正面进行制绒处理之后，在半导体衬底层的正面形成第二掺杂半导体层；其中，第二掺杂半导体层的导电类型和第一掺杂半导体层的导电类型相反。本发明专利技术提供的异质结电池的制备方法能够简化工艺，无须增加额外成本，且可以提升异质结电池的转换效率。且可以提升异质结电池的转换效率。且可以提升异质结电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种异质结电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池的制备
，具体涉及一种异质结电池的制备方法。

技术介绍

[0002]异质结(HeteroJunct ion with i ntr i ns ic Thi n l ayer，简称HJT)电池是一种重要的太阳能电池，异质结电池的结构是以N型硅衬底为中心，在其两侧分别形成P型非晶硅和N型非晶硅，然后在P型非晶硅和N型非晶硅与N型硅衬底之间增加一层本征非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能，因而具备晶体硅电池与薄膜电池的双重优势，具备较高的转换效率。
[0003]异质结电池相较于其他类型的太阳能电池，可以使用更薄的硅片从而降低成本；但这同时也导致现行一些先进的晶硅电池技术无法应用到异质结电池上。比如背面抛光技术，背面抛光对于可以大幅降低电池背面复合速率，提高电池的转换效率。
[0004]然而，现有的异质结电池的工艺复杂，有必要对工艺进行简化或改进。

技术实现思路

[0005]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的异质结电池的工艺复本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底层；对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理，以使得至少所述半导体衬底层的背面形成光面；在所述半导体衬底层的背面形成第一掺杂半导体层；以所述第一掺杂半导体层对半导体衬底层的背面保护，在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理，使得所述半导体衬底层的正面形成减反射绒面；在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理之后，在所述半导体衬底层的正面形成第二掺杂半导体层；其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反。2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述腐蚀处理采用碱液，所述碱液包括KOH溶液，KOH的质量百分比浓度为2％
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10％,温度为65℃
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85℃。3.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述腐蚀处理采用酸液，所述酸液包括HF和HNO3的混合溶液，温度为5℃
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20℃；优选的，所述酸液中的HF和HNO3的摩尔比为0.125
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0.25。4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述制绒处理采用碱性制绒溶液，所述碱性制绒溶液包括KOH溶液或者NaOH溶液，所述碱性制绒溶液的质量百分比浓度为2％
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8％，反应温度为75℃
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85℃。5.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，在进行所述腐蚀处理之前，所述半导体衬底层的两侧表面均具有损伤层；所述腐蚀处理将所述损伤层去除；优选的，所述腐蚀处理对所述半导体衬底层的单面减薄量为2μm
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10μm。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张良，辛科，周肃，孙鹏，
申请(专利权)人：安徽华晟新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：