一种MOS芯片封装结构及其封装方法技术

本申请涉及一种MOS芯片封装结构及其封装方法，封装结构包括基板、漏极引脚、源极引脚、栅极引脚、MOS芯片、源极铜夹、栅极铜夹和塑封体；MOS芯片正装地固定在基板上，使漏极与基板电连接，漏极引脚与基板一体连接，源极铜夹用于连接源极和源极引脚，栅极铜夹用于连接栅极和栅极引脚；源极铜夹为非对称结构，多个边缘通过撕裂成型有第一支撑部。本申请采用铜夹来实现芯片与引脚的电连接，铜夹面积大，更利于散热；在源极铜夹的多个边缘设置的第一支撑部能够有效防止源极铜夹倾斜，不易出现虚焊和未焊等状况，能提高焊接质量；采用撕裂成型的方式制作出第一支撑部，一个动作成型出两个结构，工艺简单，成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS芯片封装结构及其封装方法


[0001]本申请涉及半导体封装
，尤其是涉及一种MOS芯片封装结构及其封装方法。

技术介绍

[0002]MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种应用广泛的场效应晶体管，MOSFET的封装多使用打线的方式使MOS芯片和引脚实现电连接，容易产生连线上浮和焊点断裂等现象，电流通过能力差，产品的散热性也差，可靠性受到影响，在高低温循环测试中，容易开路失效。
[0003]参考公开号为CN112086367A、名称为“一种Clip结构TO
‑
220封装的MOSFET及其制造方法”的中国专利技术专利申请，该申请采用铜Clip（铜夹）使MOS芯片和引脚实现电连接，铜夹相比金属焊线过流面积大，电流通过能力强，散热性好，较好地满足了大功率、高电流的要求，可靠性更高。
[0004]但由于铜夹体积和重量都较大，且是通过焊锡固定在引线框架和MOS芯片上，在回流焊时，锡膏会熔化为液体，容易流动，有机会带动铜夹偏移和倾斜，尤其是像该专利中源极铜夹和栅极铜夹形状不规则不对称时，更容易偏移，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS芯片封装结构，其特征在于，包括基板(1)、漏极引脚(2)、源极引脚(3)、栅极引脚(4)、MOS芯片(5)、源极铜夹(6)、栅极铜夹(7)和塑封体(8)；所述MOS芯片(5)的正面设有源极(51)和栅极(52)，背面设有漏极(53)，所述MOS芯片(5)正装地固定在基板(1)上，使漏极(53)与基板(1)电连接，所述漏极引脚(2)与基板(1)一体连接，所述源极铜夹(6)的一端与MOS芯片(5)的源极(51)焊接固定，另一端与源极引脚(3)焊接固定，所述栅极铜夹(7)的一端与MOS芯片(5)的栅极(52)焊接固定，另一端与栅极引脚(4)焊接固定；所述塑封体(8)用于包裹密封基板(1)、MOS芯片(5)、源极铜夹(6)和栅极铜夹(7)，以及漏极引脚(2)、源极引脚(3)和栅极引脚(4)的一部分；所述源极铜夹(6)为非对称结构，多个边缘通过撕裂成型有第一支撑部(61)，所述第一支撑部(61)的顶面低于源极铜夹(6)的背面。2.根据权利要求1所述MOS芯片封装结构，其特征在于，所述源极铜夹(6)的中部区域通过撕裂成型有第二支撑部(62)，所述第二支撑部(62)的上表面超出源极铜夹(6)的背面，且第二支撑部(62)的底面不超出第一支撑部(61)的底面。3.根据权利要求1所述MOS芯片封装结构，其特征在于，所述栅极铜夹(7)与栅极(52)连接的一端边缘通过撕裂成型有第三支撑部(71)，所述第三支撑部(71)的宽度小于栅极铜夹(7)的宽度。4.根据权利要求1所述MOS芯片封装结构，其特征在于，所述源极引脚(3)的内侧端设有向上翻折90度的第一定位部(31)，所述源极铜夹(6)上对应设有第一定位孔(63)，所述第一定位部(31)插入所述第一定位孔(63)内；所述栅极引脚(4)的内侧端设有向上翻折90度的第二定位部(41)，所述栅极铜夹(7)上对应设有第二定位孔(72)，所述第二定位部(41)插入所述第二定位孔(72)内。5.根据权利要求4所述MOS芯片封装结构，其特征在于，所述第一定位部(31)、第一定位孔(63)、第二定位部(41)和第二定位孔(72)的截面均为长方形。6.根据权利要求1所述MOS芯片封装结构，其特征在于，所述基板(1)的背面全部或部分裸露于塑封体(8)外。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张西刚，
申请(专利权)人：深圳市深鸿盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：