一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及碳化硅二极管故障识别的技术领域，公开了一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置，本发明专利技术首先通过各项测试电路对碳化硅二极管进行基础功能的检测，若碳化硅二极管的基础功能符合要求，则重复通过各项测试电路对碳化硅二极管进行持续工作的检测，并采集碳化硅二极管的实时温度，用于生成第二测试诊断特征，通过对第二测试诊断特征的分析，来判断碳化硅二极管存在各个故障的可能性，解决了现有技术中测试方式较为简陋，缺少对二极管内部的微小故障和故障隐患的检测，造成检测效果不够全面的问题

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置


[0001]本专利技术涉及碳化硅二极管故障识别的
，尤其是一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置
。

技术介绍

[0002]碳化硅二极管使用碳化硅作为半导体材料，相比于传统的硅二极管，碳化硅二极管通常具有更高的击穿电压和更低的反向漏电流，碳化硅二极管还具有更好的高温特性，可以在更高的温度下工作而不会失效，与硅二极管相比，碳化硅二极管的性能在高温环境中更加稳定，因此碳化硅二极管尤其适用于高温
、
高压和高频的电子设备
。
[0003]传统的二极管检测方法通常只对二极管进行基础功能的测试，这种测试方式较为简陋，缺少对二极管内部的微小故障和故障隐患的检测，检测效果不够全面
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置，旨在解决现有技术中测试方式较为简陋，缺少对二极管内部的微小故障和故障隐患的检测，造成检测效果不够全面的问题
。
[0005]本专利技术是这样实现的，第一方面，本专利技术提供一种碳化硅二极管故障诊断方法，包括：通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路
、
反向电阻值测试电路
、
反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试，以获取所述碳化硅二极管的第一测试诊断特征，并通过所述第一测试诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断；若未能通过所述第一测试诊断特征判断出所述碳化硅二极管的故障，则重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征；根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数；所述故障可能性参数用于描述所述碳化硅二极管存在对应所述故障可能性参数的故障的可能性
。
[0006]优选地，在对所述碳化硅二极管进行测试之前，还包括：对所述碳化硅二极管进行图像视觉检测，以获取所述碳化硅二极管的外观诊断特征，通过所述外观诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断
。
[0007]优选地，对所述碳化硅二极管进行图像视觉检测，以获取所述碳化硅二极管的外观诊断特征，通过所述外观诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断的步骤包括：对所述碳化硅二极管进行初步的图像采集，以获取所述碳化硅二极管的规格信息；
根据所述规格信息生成对应所述碳化硅二极管的视觉检查方案，并将所述视觉检查方案传输至视觉检查装置中，以使得所述视觉检查装置根据所述视觉检查方案从各个预设方位对所述碳化硅二极管进行图像采集；将采集到的所述图像与预设数据库中的标准图像进行对比分析，根据分析的结果将所述图像与所述预设数据库中的标准图像的差异部分作为外观诊断特征；根据预设的图像识别标准对所述外观诊断特征进行判断，确定所述外观诊断特征对应的故障
。
[0008]优选地，通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路
、
反向电阻值测试电路
、
反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试的步骤包括：通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述正向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行正向电阻值的测试；通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述反向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行反向电阻值的测试；通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述反向耐压测试电路对所述碳化硅二极管进行反向耐压的测试
。
[0009]优选地，用于构建所述正向电阻值测试电路
、
所述反向电阻值测试电路以及所述反向耐压测试电路的各个电子器件均设置在同一个测试装置上，且由开关实现各个所述电子器件之间的连通与断开，从而分别构成所述正向电阻值测试电路
、
所述反向电阻值测试电路以及所述反向耐压测试电路
。
[0010]优选地，重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征的步骤包括：构建所述正向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行测试，并在所述正向电阻值测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，将采集到的实时温度和正向电阻值根据对应的时间点生成正向测试结果模型；从所述正向测试结果模型中提取实时温度变化曲线和温度电阻对应关系作为所述正向测试结果模型的第二测试诊断特征；构建所述反向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行测试，并在所述反向电阻值测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，将采集到的实时温度和反向电阻值根据对应的时间点生成反向测试结果模型；从所述反向测试结果模型中提取实时温度变化曲线和温度电阻对应关系作为所述反向测试结果模型的第二测试诊断特征
。
[0011]优选地，根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数的步骤包括：从预设的数据库中调取各项故障下碳化硅二极管的测试诊断标准分别对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述第二测试诊断标准与各项故障下碳化硅二极管的测试诊断标准的平均差值，并根据平均差值生成所述碳化硅二极管的各项故障的可能性参数
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[0012]第二方面，本专利技术提供一种碳化硅二极管故障诊断装置，包括：第一测试模块，用于通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路
、
反向电阻值测试电路
、
反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试，以获取所述碳化硅二极管的第一测试诊断特征，并通过所述第一测试诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断；第二测试模块，用于在若未能通过所述第一测试诊断特征判断出所述碳化硅二极管的故障时，重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征；故障分析模块，用于根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数；所述故障可能性参数用于描述所述碳化硅二极管存在对应所述故障可能性参数的故障的可能性
。
[0013]本专利技术提供了一种碳化硅二极管故障诊断方法，具有以下有益效果：本专利技术首先通过各项测试电路对碳化硅二极管进行基础功能的检测，若碳化硅二极管的基础功能符合要求，则重复通过各项测试电路对碳化硅二极管进行持续工作的检测，并采集碳化硅二极管的实时温度，用于生成第二测试诊断特征，通过对第二测试诊断特征的分析，来判断碳化硅二极管存在各个故障的可能性，解决了现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种碳化硅二极管故障诊断方法，其特征在于，包括：通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路
、
反向电阻值测试电路
、
反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试，以获取所述碳化硅二极管的第一测试诊断特征，并通过所述第一测试诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断；若未能通过所述第一测试诊断特征判断出所述碳化硅二极管的故障，则重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征；根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数；所述故障可能性参数用于描述所述碳化硅二极管存在对应所述故障可能性参数的故障的可能性
。2.
如权利要求1所述的一种碳化硅二极管故障诊断方法，其特征在于，在对所述碳化硅二极管进行测试之前，还包括：对所述碳化硅二极管进行图像视觉检测，以获取所述碳化硅二极管的外观诊断特征，通过所述外观诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断
。3.
如权利要求2所述的一种碳化硅二极管故障诊断方法，其特征在于，对所述碳化硅二极管进行图像视觉检测，以获取所述碳化硅二极管的外观诊断特征，通过所述外观诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断的步骤包括：对所述碳化硅二极管进行初步的图像采集，以获取所述碳化硅二极管的规格信息；根据所述规格信息生成对应所述碳化硅二极管的视觉检查方案，并将所述视觉检查方案传输至视觉检查装置中，以使得所述视觉检查装置根据所述视觉检查方案从各个预设方位对所述碳化硅二极管进行图像采集；将采集到的所述图像与预设数据库中的标准图像进行对比分析，根据分析的结果将所述图像与所述预设数据库中的标准图像的差异部分作为外观诊断特征；根据预设的图像识别标准对所述外观诊断特征进行判断，确定所述外观诊断特征对应的故障
。4.
如权利要求1所述的一种碳化硅二极管故障诊断方法，其特征在于，通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路
、
反向电阻值测试电路
、
反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试的步骤包括：通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述正向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行正向电阻值的测试；通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述反向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行反向电阻值的测试；通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述反向耐压测试电路对所述碳化硅二极管进行反向耐压的测试
。5.
如权利要求4所述的一种碳化硅二极管故障诊断方法，其特征在于，用于构建所述正向电阻值测试电路
、
所述反向电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：张西刚，李杲宇，
申请(专利权)人：深圳市深鸿盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：