半导体封装组件及这种半导体封装组件的制造方法技术

本公开涉及半导体封装组件以及用于制造这种半导体封装组件的方法。半导体封装组件由半导体封装件和封包该半导体封装件的模制树脂壳体构成。半导体封装件至少包括：引线框架，其具有第一框架侧和与该第一框架侧相对的第二框架侧；硅裸片结构，其具有第一裸片侧和与该第一侧相对的第二裸片侧，硅裸片结构被安装成使其第二裸片侧在引线框架的第一框架侧上；一个或多个接合线，其将硅裸片结构与引线框架电连接；以及涂层，其从封包的模制树脂壳体覆盖半导体封装件，该涂层由两个或更多个不同的非晶层涂层组成。使用涂层来覆盖包括接合线的整个半导体封装件，并且保护其免受随后封包整个半导体封装件的模制树脂的影响，因此，形成封包的模制树脂壳体防止发生任何腐蚀现象，因为模制树脂中包含的任何卤素成分不再能够影响接合线和线

【技术实现步骤摘要】
半导体封装组件及这种半导体封装组件的制造方法


[0001]本公开涉及一种半导体封装组件及这种半导体封装组件的制造方法，该半导体封装组件由半导体封装件和封包该半导体封装件的模制树脂壳体组成。

技术介绍

[0002]当制造半导体封装组件时，形成半导体封装件的半导体部件被安装到引线框架，并且接合线被放置为将半导体裸片与引线框架的框架引线电子互连。为了完成半导体封装组件，使用塑料树脂来封包半导体封装件，从而固定并保护易碎的接合线，并允许在半导体应用中对半导体封装组件进行适当的处理和加工。
[0003]然而，在这种线接合的半导体封装组件中发生慢性腐蚀问题。当使用Cu接合线、涂覆有(Au)Pd的接合线或Ag接合线时，封装组件更易于被腐蚀。来自模制化合物的卤素成分侵蚀位于线
‑
裸片接合焊盘界面处的金属间化合物(IMC)，由于来自组装工艺的化学物质或湿气进入，在不同的温度、湿度或高电偏压条件下，进一步影响该腐蚀。此外，当塑料树脂与引线框架的粘合性没有优化时，半导体中会发生分层。
[0004]因此，本公开的目的在于提供一种改善的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装组件，其由半导体封装件和封包所述半导体封装件的模制树脂壳体组成，所述半导体封装件至少包括：引线框架，其具有第一框架侧和与所述第一框架侧相对的第二框架侧；硅裸片结构，其具有第一裸片侧和与所述第一侧相对的第二裸片侧，所述硅裸片结构被安装成使得所述硅裸片结构的第二裸片侧在所述引线框架的所述第一框架侧上；一个或多个接合线，其将所述硅裸片结构与所述引线框架电连接；以及涂层，其从封包的所述模制树脂壳体覆盖所述半导体封装件，所述涂层由两个或更多个不同的非晶层涂层构成。2.根据权利要求1所述的半导体封装组件，其中，所述涂层由两个非晶层涂层构成。3.根据权利要求1或2所述的半导体封装组件，其中，涂覆所述半导体封装件的第一层涂层包括非晶硅(a
‑
Si)、有机硅薄膜或非晶氢化SiC。4.根据权利要求1、2或3所述的半导体封装组件，其中，涂覆所述第一层涂层的至少另一层涂层包括非晶氧化硅(a
‑
SiO
x
)或氧化铝(III)(Al2O3)。5.根据前述权利要求中任一项或多项所述的半导体封装组件，其中，在低于200℃的温度下，并且优选地在150℃至200℃之间的温度范围内，使用气相沉积技术将所述第一层涂层施加在所述半导体封装件上。6.根据权利要求5所述的半导体封装组件，其中，使用气相沉积技术将所述至少另一层涂层施加在所述第一层涂层上。7.根据前述权利要求中任一项或多项所述的半导体封装组件，其中，所述半导体封装件还包括安装到所述引线框架的所述第二框架侧的引线框架胶带。8.根据前述权利要求中的任一项或多项所述的半导体封装组件，其中，所述引线框架由中心裸片焊盘和多个框架引线组成，其中，所述硅裸片结构安装在所述中心裸片焊盘处，并且所述多个接合线电连接到所述多个框架引线。9.一种半导体封装组件的制造方法，包括以下步骤：i)通过以下子步骤形成半导体封装件：i1)提供具有第一框架侧和与所述第一框架侧相...

【专利技术属性】
技术研发人员：伦道夫，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：