芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，该芯片封装结构包括引线框架、芯片和塑封体，芯片贴装在引线框架正面，塑封体设置在引线框架正面，并包覆在芯片外；其中，引线框架的正面和背面设置有第一沟槽和第二沟槽，以将引线框架分隔成基岛和分设在基岛两侧或周围的引脚，且第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度，以使基岛的边缘形成台阶凸部。基岛的边缘形成台阶凸部，这就保证了基岛的底部焊盘区域面积得以减小，一方面减少了存在锡焊空洞的概率，另一方面使得引脚件的间隙空间得以增大，塑封工艺填充时塑封料能够在第二沟槽内自由流动，提升其流动性，进而保证了塑封效果和保护效果。果和保护效果。果和保护效果。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构


[0001]本技术涉及芯片封装
，具体而言，涉及一种芯片封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，QFN(Quad Flat No
‑
lead Package方形扁平无引脚封)结构广泛应用于半导体行业中,在使用四方扁平无引线(QFN)封装的情况下，不太容易看到可焊接或外露引脚/端子，也就使你无法确认它们是否被成功地焊接在印刷电路板(PCB)上。封装边缘有用于端子、暴露在外的覆铜，这些覆铜很容易被氧化，这使得侧壁焊锡润湿很困难，导致焊接不好，以及QFN产品与印刷电路板热膨胀系数不同，在可靠性测试时，容易导致引脚焊锡断裂，影响产品性能。
[0003]传统引线框引脚采用wettable flank(可润湿侧爬)结构，来提高其焊接结合力，当引线框引脚越大时与锡膏焊接时接触面积越大，存在的焊锡空洞就越大。故传统wettable flank结构只能解决侧壁焊锡，无法解决底部空洞问题。并且传统引线框结构基岛结构焊盘空间较大，存在焊锡空洞。同时，常规的封装结构，由于基岛结构焊盘空间较大，与引脚间的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：引线框架；贴装在所述引线框架正面的芯片；设置在所述引线框架正面，并包覆在所述芯片外的塑封体；其中，所述引线框架的正面设置有第一沟槽，所述引线框架的背面设置有第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽对应设置且相互贯通，以将所述引线框架分隔成基岛和分设在所述基岛两侧或周围的引脚，所述引脚的端部朝向所述基岛局部凸起，且所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度，以使所述基岛的边缘形成台阶凸部，所述塑封体填充于所述第一沟槽，并填充至少部分所述第二沟槽。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片正装在所述基岛上，且所述芯片上打线形成有连接线，所述连接线与所述引脚连接，以使所述芯片与所述引脚电连接。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片的背面设置有胶膜层，所述芯片通过所述胶膜层固定在所述基岛上。4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述台阶凸部朝向所述第二沟槽的一侧表面为弧形面，且所述台阶凸部的厚度朝向靠近所述基岛的中心的方向逐渐增大。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述台阶凸部朝向所述第二沟槽的一侧表面还设置有第一散热槽，且所述台阶凸部的边缘还设置有第一阻挡块，所述第一阻挡块用于将所述第二沟槽分隔成填充区和外露区，所述第一散热槽位于所述外露区，并外露于外部空间，所述塑封体...

【专利技术属性】
技术研发人员：何正鸿，张超，何林，宋祥祎，
申请(专利权)人：甬矽半导体宁波有限公司，
类型：新型
国别省市：