MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备技术

本公开提供一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备。在过渡阶段的连续的3个子阶段中向待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加三种恒定电压的驱动信号，三种恒定电压的驱动信号的电压值依序单调变化，连续的3个子阶段中第一个子阶段与第三个子阶段的驱动信号的电压极性相反且驱动信号的绝对值不等，第二个子阶段的电压极性与第一个子阶段和第三个子阶段的电压绝对值较大一者的极性相同；或者，连续的3个子阶段中第一个子阶段与第三个子阶段的驱动信号的电压极性相反且驱动信号的绝对值相等，第二个子阶段的电压极性与使得待测试MOS型半导体器件充分导通的电压极性相同。如此设置有助于提高测试的可靠性和效率。的可靠性和效率。的可靠性和效率。

【技术实现步骤摘要】
MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备


[0001]本公开属于半导体器件测试
，具体涉及一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法和测试设备。

技术介绍

[0002]本部分旨在为权利要求书中陈述的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
[0003]MOS型半导体器件例如是金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。MOS型半导体器件的阈值电压稳定性相对较差。故需要对MOS型半导体器件的阈值电压稳定性进行测试。

技术实现思路

[0004]本公开提供一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备。
[0005]本公开采用如下技术方案：一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法，包括：老化阶段、过渡阶段和阈值测量阶段，所述过渡阶段包括连续的3个子阶段，所述连续的3个子阶段中向待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加三种恒定电压的驱动信号，三种恒定电压的驱动信号的电压值依序单调变化，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法，包括：老化阶段、过渡阶段和阈值测量阶段，其特征在于，所述过渡阶段包括连续的3个子阶段，所述连续的3个子阶段中向待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加三种恒定电压的驱动信号，三种恒定电压的驱动信号的电压值依序单调变化，所述连续的3个子阶段中第一个子阶段与第三个子阶段的驱动信号的电压极性相反且驱动信号的绝对值不等，第二个子阶段的电压极性与第一个子阶段和第三个子阶段的电压绝对值较大一者的极性相同；或者，所述连续的3个子阶段中第一个子阶段与第三个子阶段的驱动信号的电压极性相反且驱动信号的绝对值相等，第二个子阶段的电压极性与使得所述待测试MOS型半导体器件充分导通的电压极性相同；其中，在所述第一个子阶段和所述第三个子阶段所述待测MOS型半导体器件处于不同的关断导通状态。2.根据权利要求1所述的阈值电压稳定性测试方法，其特征在于，所述过渡阶段包括依次设置的第一子阶段、第二子阶段、第三子阶段、第四子阶段和第五子阶段，在所述过渡阶段待测试MOS型半导体器件的第一极和第二极短路连接；在所述第一子阶段和所述第五子阶段，向所述待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加0V驱动信号；在所述第二子阶段，向所述待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加第一极性的驱动信号；在所述第四子阶段，向所述待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加第二极性的驱动信号；其中，所述第一极性的驱动信号和所述第二极性的驱动信号的绝对值不等，所述第一极性的驱动信号和所述第二极性的驱动信号的绝对值较大一者的驱动信号为特征驱动信号，或者所述第一极性的驱动信号和所述第二极性的驱动信号的绝对值相等，所述第一极性的驱动信号和所述第二极性的驱动信号中能够使得所述待测MOS型半导体器件导通的一者为特征驱动信号，在所述第三子阶段向所述待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加的驱动信号的极性与所述特征驱动信号的极性相同，且绝对值小于所述特征驱动信号的绝对值；其中，在所述第二子阶段和所述第四子阶段所述待测MOS型半导体器件处于不同的关断导通状态。3.根据权利要求2所述的阈值电压稳定性测试方法，其特征在于，所述第一子阶段的时长在1ms至2s的范围内；和/或，所述第二子阶段的时长在1ms至10s的范围内；和/或，所述第三子阶段的时长在1ms至5s的范围内；和/或，所述第四子阶段的时长在1ms至10s的范围内；和/或，所述第五子阶段的时长在1min至60min的范围内。4.根据权利要求2所述的阈值电压稳定性测试方法，其特征在于，所述第一极性的驱动信号和所述第二极性的驱动信号中使得所述待测MOS型半导体器件导通的一者的绝对值大于0V且小于或等于25V，另一者的绝对值大于0V且小于或等于10V。5.根据权利要求2所述的阈值电压稳定性测试方法，其特征在于，所述第一子阶段、所述第二子阶段、所述第三子阶段、所述第四子阶段为一个预处理周期，所述过渡阶段包括至少一个预处理周期以及位于最后一个预处理周期之后的第五子阶段。6.根据权利要求1所述的阈值电压稳定性测试方法，其特征在于，所述过渡阶段包括依次设置的第一子阶段、第二子阶段、第三子阶段、第四子阶段和第
五子阶段，在所述过渡阶段待测试MOS型半导体器件的第一极和第二极短路连接；在所述第一子阶段和/或所述第五子阶段，向所述待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加绝对值小于或等于动态漂移临界电压的绝对值且极性与动态漂移临界电压的极性相同的驱动信号，所述动态漂移临界电压是使动态阈值漂移可忽略的栅极与第一极之间的电压；在所述第二子阶段，向所述待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加第一极性的驱动信号；在所述第四子阶段，向所述待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加第二极性的驱动信号；其中，所述第一极性的驱动信号和所述第二极性的驱动信号的绝对值不等，所述第一极性的驱动信号和所述第二极性的驱动信号的绝对值较大一者的驱动信号为特征驱动信号，或者所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋华平，廖瑞金，肖念磊，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：