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本公开提供一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备。在过渡阶段的连续的3个子阶段中向待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加三种恒定电压的驱动信号，三种恒定电压的驱动信号的电压值依序单调变化，连续的3个子阶段中第一个子...
该专利属于重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆大学授权不得商用。

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