测试方法、测试装置及电子设备制造方法及图纸

本申请提供一种测试方法、测试装置及电子设备，对器件进行电位扫描，测试对器件施加交流电压时器件的衬底电流，获取衬底电流中的交流电流，相邻交流电流之间的差值绝对值首次处于第一阈值时，根据相邻交流电流对应的直流电压确定器件的平带电压。本申请的方案，较为准确的获取器件的平带电压，避免栅氧化层的非理想特征影响器件的平带电压。想特征影响器件的平带电压。想特征影响器件的平带电压。

【技术实现步骤摘要】
测试方法、测试装置及电子设备


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种测试方法、测试装置及电子设备。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体在外加电压的作用下产生空间电荷区，在空间电荷区内，从半导体表面到内部，电势逐渐减弱，则半导体表面相对于体内产生电势差，空间电荷区两端的电势差称为表面势V
S
。当外加电压使得空间电荷区的电荷Q
S
=0时，半导体的表面势V
S
=0，该外加电压为金属氧化物半导体的平带电压V
FB
。
[0003]如何较为准确的获取平带电压V
FB
是较为重要的问题。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种测试方法、测试装置及电子设备，以准确获取平带电压。
[0005]第一方面，本申请提供一种测试方法，所述方法包括：对器件进行电位扫描，测试对所述器件施加交流电压时所述器件的衬底电流，获取所述衬底电流中的交流电流；相邻交流电流之间的差值绝对值首次处于第一阈值时，根据所述相邻交流电流对应的直流电压确定所述器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试方法，其特征在于，所述方法包括：对器件进行电位扫描，测试对所述器件施加交流电压时所述器件的衬底电流，获取所述衬底电流中的交流电流；相邻交流电流之间的差值绝对值首次处于第一阈值时，根据所述相邻交流电流对应的直流电压确定所述器件的平带电压。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述相邻交流电流对应的直流电压确定所述器件的平带电压，具体包括：将所述相邻交流电流对应的相邻直流电压中较小的直流电压作为所述器件的平带电压；或，将所述相邻交流电流对应的相邻直流电压中较大的直流电压作为所述器件的平带电压；或，将所述相邻交流电流对应的相邻直流电压的平均电压作为所述器件的平带电压。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对器件进行电位扫描，具体包括：确定扫描起始电压并根据测试精度确定扫描步长，所述扫描起始电压控制所述器件处于积累区；根据所述扫描起始电压和所述扫描步长计算多个扫描电压，利用所述多个扫描电压对所述器件进行扫描，以对所述器件从积累区向耗尽区进行扫描。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对器件进行电位扫描，具体包括：确定扫描起始电压并根据测试精度确定扫描步长，所述扫描起始电压控制所述器件处于耗尽区；根据所述扫描起始电压和所述扫描步长计算多个扫描电压，利用所述多个扫描电压对所述器件进行扫描，以对所述器件从耗尽区向积累区进行扫描。5.根据权利要求1
‑
4中任意一项所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：