当前位置: 首页 > 专利查询>索尼公司专利>正文

有机电致发光发光部的驱动方法技术

技术编号:3748887 阅读:136 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种有机电致发光发光部的驱动方法;还提供一种具有驱动晶体管和显示元件的显示装置的驱动方法,驱动晶体管的一个源/漏区连接至电源部,另一源/漏区连接至设置在显示元件中的阳极,该方法包括以下步骤:通过将预定的中间电压施加至阳极来设置阳极的电位,使得显示元件的阳极与显示元件的另一端上的阴极之间的电位差不超过显示元件的阈值电压;以及随后在将驱动电压从电源部施加至驱动晶体管的一个源/漏区的同时将驱动晶体管保持在截止状态。此外,本发明专利技术还提供了一种具有驱动晶体管和显示元件的显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
已知具有发光部的显示元件和包括该显示元件的显示装置。例如,具有使用有机 材料的电致发光(在下文中,可以简称为“EL”)的有机电致发光发光部的显示元件(在下 文中,可以简称为“有机EL显示元件”)作为可以通过低压直流驱动来执行高亮度发光的显 示元件引起了注意。如在液晶显示装置中,例如,在包括有机EL显示元件的有机电致发光显示装置 (在下文中,可简称为“有机EL显示装置”)中,作为驱动系统,已知简单矩阵系统和有源矩 阵系统。有源矩阵系统具有结构变得复杂的缺点,但是具有可使图像发光更高等的优点。在 由有源矩阵系统驱动的有机EL显示元件中,提供包括含有发光层等的有机层和用于驱动 发光点的驱动电路的发光部。作为用于驱动有机电致发光发光部(在下文中,可简称为“发光部”)的电路,例如,从JP-A-2007-310311已知包括两个晶体管和一个电容部(capacity part)的驱动电路 (称为“2Tr/lC”驱动电路)。2Tr/lC驱动电路包括写入晶体管TRw和驱动晶体管TRd的两 个晶体管,并且进一步包括如图2所示的一个电容部Cp在此,驱动晶体管TRd的另一源/ 漏区形成第二节点ND2,并且驱动晶体管TRd的栅极形成第一节点ND115另外,如图4的时序图所示,在中,执行用于阈值电压消除处理 的预处理。即,通过根据来自扫描线SCN的信号而处于导通状态的写入晶体管TRW,将第一 节点初始化电压VMs(例如,0伏)从数据线DTL施加至第一节点ND115从而,第一节点ND1 的电位变为VMs。另外,通过驱动晶体管TRD,将第二节点初始化电压U例如,-10伏)从 电源部100施加至第二节点ND2。从而,第二节点ND2的电位变为V。m。驱动晶体管TRd的 阈值电压由电压Vth(例如,3伏)表达。当驱动晶体管TRd的栅极与另一源/漏区(在下文 中,为方便起见可称为“源区”)之间的电位差变为Vth以上时,驱动晶体管TRd转为导通状 态。应注意,发光部ELP的阴极连接至其上施加了电压VCat(例如,0伏)的电源线PS2。随后,在中执行阈值电压消除处理。即,当维持写入晶体管TRw 的导通状态时,电源部100的电压从第二节点初始化电压ν。Μ切换至驱动电压例如, 20伏)。结果,第二节点ND2的电位朝向通过从第一节点ND1的电位中减去驱动晶体管TRd 的阈值电压Vth获得的电位而变化。即,浮置第二节点ND2的电位升高。随后,当驱动晶体 管TRd的栅极与源区之间的电位差达到Vth时,驱动晶体管TRd转换为截止状态。在该状态 下,第二节点ND2的电位通常为(Vws-Vth)。随后,在中,写入晶体管TRw转换为截止状态。随后,数据线DTL 的电压设置为与视频信号相对应的电压。随后,在中,执行写入处理。具体地,扫描线SCN转换为高电平 并且写入晶体管TRwR为导通状态。结果,第一节点NDl的电位升高至视频信号Vsig m。 在此,假定电容部C1的值为C1,发光部ELP的电容C^的值为(^,且另外,驱动晶 体管TRd的栅极与另一源/漏区之间的寄生电容值为Cgs,则当驱动晶体管TRd的栅极的电 位从Vws变为Vsig m( > V0fs)时,电容部Cl两端的电位(换言之,第一节点ND1和第二节点 ND2的电位)基本上发生改变。S卩,基于驱动晶体管TRd的栅极的电位(=第一节点ND1的 电位)的改变量(Vsig m-Vws)的电荷被分配给电容部(;、发光部ELP的电容Ca及驱动晶体 管TRd的栅极与另一源/漏区之间的寄生电容。因此,如果与值C1和值Cgs相比,值q为足 够大的值,则根据驱动晶体管TRd的栅极的电位的改变量(Vsigm-Vws)的驱动晶体管TRd的 另一源/漏区(第二节点ND2)的电位变化较小。另外,通常,发光部ELP的电容Ca的值q 比电容部C1的值C1和驱动晶体管TRd的寄生电容的值Cgs大。因此,为了便于说明,将在不 考虑由第一节点ND1的电位变化产生的第二节点ND2的电位变化的情况下进行说明。应注 意,在不考虑由第一节点ND1的电位变化产生的第二节点ND2的电位变化的情况下形成图4 所示的驱动时序图。在上述操作中,当将电压V^h从电源部100施加至驱动晶体管TRd的一个源/漏区 时,视频信号Vsig m被施加至驱动晶体管TRd的栅极。因此,如图4所示,在 中,第二节点ND2的电位升高。稍后将描述电位的升高量△ V(电位校正值)。假定驱动晶 体管TRd的栅极(第一节点ND1)的电位为Vg,并且驱动晶体管TRd的另一源/漏区(第二 节点ND2)的电位为Vs,则如果不考虑第二节点ND2的电位升高量Δ ¥,则Vg的值和Vs的值 如下。第一节点ND1与第二节点ND2之间的电位差(即,驱动晶体管TRd的栅极与充当源区 的另一源/漏区之间的电位差Vgs)可由以下表达式(A)表示。Vg = VsigmVs ^ V0fs-VthVgs ^ Vsigjl-(V0fs-Vth) (A)S卩,在驱动晶体管TRd中的写入处理中获得的Vgs仅取决于用于控制发光部ELP中 的亮度的视频信号Vsig m、驱动晶体管TRd的阈值电压Vth和用于初始化驱动晶体管TRd的栅 极的电位的电压VMs。另外,其与发光部ELP的阈值电压Vthi无关。随后,将简要说明迁移率校正处理。在上述操作中,在写入处理中,还执行根据驱 动晶体管TRd的特性(例如,迁移率μ的大小等)改变驱动晶体管TRd的另一源/漏区的 电位(即,第二节点ND2的电位)的迁移率校正处理。如上所述,当将电压从电源部100施加至驱动晶体管TRd的一个源/漏区时, 将视频信号Vsigm施加至驱动晶体管TRd的栅极。此处,如图4所示,在 中,第二节点ND2的电位升高。结果,如果驱动晶体管TRd的迁移率μ的值很大,则驱动晶 体管TRd的源区中的电位升高量Δν(电位校正值)变得更大,并且如果驱动晶体管TRd的 迁移率μ的值很小,则驱动晶体管TRd的源区中的电位升高量Δν(电位校正值)变得更 小。驱动晶体管TRd的栅极与源区之间的电位差Vgs从表达式㈧变换为以下表达式(B)。应注意,可预先确定的全部时间(tO)作为设计有机EL显示装置时的设 计值。Vgs^Vsigjl-(V0fs-Vth)-AV (B)通过上述操作,完成了阈值电压消除处理、写入处理和迁移率校正处理。另外,在 随后的开始时,写入晶体管TRw通过来自扫描线SCL的信号转变为截止 状态,从而第一节点ND1浮置。同时,将电压从电源部100施加至驱动晶体管TRd的一 个源/漏区(在下文中,为方便起见可以称为“漏区”)。因此,作为结果,第二节点ND2的 电位升高,在驱动晶体管TRd的栅极中出现与在所谓的自举电路(bootstrap circuit)中 相同的现象,并且第一节点ND1的电位也升高。驱动晶体管TRd的栅极与源区之间的电位差 Vgs基本上保持表达式(B)的值。另外,在发光部ELP中流动的电流为从驱动晶体管TRd的 漏区流至源区的漏电流(漏极电流)Ids。如果驱动晶体管TRd在饱和区中理想工作,则漏电 流Ids可以由以下的表达式(C)表示。发光部ELP发出具有根据漏电流Ids的值的发光(亮 度)的光。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有驱动晶体管和显示元件的显示装置的驱动方法,  所述驱动晶体管的一个源/漏区连接至电源部,  另一源/漏区连接至设置在所述显示元件中的阳极,  所述方法包括以下步骤:  通过将预定的中间电压施加至所述阳极来设置所述阳极的电位,使得所述显示元件的所述阳极与所述显示元件的另一端上的阴极之间的电位差不超过所述显示元件的阈值电压;然后  在将驱动电压从所述电源部施加至所述驱动晶体管的一个源/漏区的同时,将所述驱动晶体管保持在截止状态。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:山下淳一内野胜秀
申请(专利权)人:索尼公司
类型:发明
国别省市:JP[日本]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1