电场辅助磁存储器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种电场辅助磁存储器件，所述电场辅助磁存储器件具有多层复合薄膜结构，包括：底电极层；铁电氧化物层；磁性记录层；保护层；工作电压发生装置，所述工作电压发生装置在写入时通过所述底电极层和磁性记录层对所述铁电氧化物层施加电场。此外，本发明专利技术还提供一种所述电场辅助磁存储器件的制造方法。采用本发明专利技术的设备和方法，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁矫顽场的大小，从而更方便写入，保证数据的安全性，同时降低能耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机存储
，尤其是涉及一种电场辅助磁存储器件、用于制 造该存储器件的制造方法以及具有该存储器件的垂直磁性记录装置。
技术介绍
自19世纪末叶以来，磁信息存储系统已经有了超过百年的发展历史，而计算机硬 盘系统自20世纪50年代由美国IBM公司开发至今，也已五十余年。目前硬盘是容量最大的 信息存储器件。磁存储器件的基本原理是将信息以二进制的方式记录在磁性记录介质中， 利用磁性记录介质中磁畴的不同取向来对应0-1信号。硬盘类磁性存储器件是当今计算机 工业和信息存储的不可或缺的元件，随着科技的不断向前发展，硬盘的存储介质和结构不 断得以优化，磁性记录层逐渐由铁氧体颗粒介质发展为当前普遍使用的铁磁合金介质，磁 存储密度逐步增大。2005年以后，随着垂直磁性记录系统的商用化，无论是磁存储介质、磁 头还是信号处理系统等硬盘磁性存储的各项技术都发展到了新的水平，商用硬盘的存储密 度超过了 100Gb/in2。在硬盘等磁性存储装置中，对于磁性存储部分的主要技术来源于数据安全性的考 虑，需要存储介质具有较高的磁矫顽场He，从而保证能够在外界干扰的状态下持续地保持 磁畴的取向，用以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电场辅助磁存储器件，所述电场辅助磁存储器件具有多层复合薄膜结构，包括：底电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上；磁性记录层，所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上，用于进行磁性记录，所述铁电氧化物层与磁性记录层之间具有磁电效应的耦合作用；保护层，所述保护层设置在所述磁性记录层上，以保护所述磁性记录层；以及工作电压发生装置，所述工作电压发生装置在写入时通过所述底电极层和磁性记录层对所述铁电氧化物层施加电场。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李峥，南策文，张毅，林元华，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]