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本发明提供一种电场辅助磁存储器件，所述电场辅助磁存储器件具有多层复合薄膜结构，包括：底电极层；铁电氧化物层；磁性记录层；保护层；工作电压发生装置，所述工作电压发生装置在写入时通过所述底电极层和磁性记录层对所述铁电氧化物层施加电场。此外，本发...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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