一种性能参数调节方法、调节装置和相关设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种性能参数调节方法、调节装置和相关设备，其中性能参数调节方法包括：获取监测电路的监测参数的实际值，监测电路用于对芯片进行老化监测，监测参数能够表征芯片的老化程度；根据监测参数的实际值和监测参数的初始值，确定监测参数的变化量；根据监测参数的变化量，确定对应的芯片的性能参数的变化量；根据性能参数的变化量，调节芯片的性能参数，从而可以避免因芯片的初始性能参数过高即芯片的性能参数调节量过大，导致的芯片的初始功耗过高。功耗过高。功耗过高。

【技术实现步骤摘要】
一种性能参数调节方法、调节装置和相关设备


[0001]本专利技术实施例涉及芯片
，具体涉及一种性能参数调节方法、调节装置和相关设备。

技术介绍

[0002]随着芯片工作时间的延长，在载流子注入、偏压不稳定性等因素的影响下，芯片会逐渐老化，导致芯片的性能逐渐降低。由于芯片的性能可以用性能参数如工作频率或工作电压等来表征，因此，通常可以采用预先提高芯片的性能参数，来使老化后的芯片仍能满足性能的规格要求。但是，这样会导致芯片的初始功耗过高。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种性能参数调节方法、调节装置和相关设备，以降低因芯片的初始性能参数过高，导致的芯片的初始功耗过高问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种性能参数调节方法，包括：
[0006]获取监测电路的监测参数的实际值，所述监测电路用于对芯片进行老化监测，所述监测参数能够表征所述芯片的老化程度；
[0007]根据所述监测参数的实际值和所述监测参本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种性能参数调节方法，其特征在于，包括：获取监测电路的监测参数的实际值，所述监测电路用于对芯片进行老化监测，所述监测参数能够表征所述芯片的老化程度；根据所述监测参数的实际值和所述监测参数的初始值，确定所述监测参数的变化量；根据所述监测参数的变化量，确定对应的所述芯片的性能参数的变化量；根据所述性能参数的变化量，调节所述芯片的性能参数。2.根据权利要求1所述的性能参数调节方法，其特征在于，所述根据所述监测参数的变化量，确定所述芯片的性能参数的变化量，包括：根据所述监测参数的变化量和所述性能参数的变化量的函数关系，确定所述监测参数的变化量对应的所述芯片的性能参数的变化量。3.根据权利要求2所述的性能参数调节方法，其特征在于，还包括：确定所述监测参数的变化量随等效工作时间变化的第一函数关系；确定所述性能参数的变化量随等效工作时间变化的第二函数关系；根据所述第一函数关系和所述第二函数关系，确定所述监测参数的变化量和所述性能参数的变化量的函数关系。4.根据权利要求3所述的性能参数调节方法，其特征在于，所述确定所述监测参数的变化量随等效工作时间变化的第一函数关系包括：获取对所述监测电路进行老化测试得到的第一老化测试数据；根据所述第一老化测试数据，确定所述监测参数随等效工作时间变化的函数关系；根据所述监测参数随等效工作时间变化的函数关系，确定所述监测参数的变化量随等效工作时间变化的第一函数关系。5.根据权利要求3所述的性能参数调节方法，其特征在于，所述确定所述性能参数的变化量随等效工作时间变化的第二函数关系包括：获取对所述芯片进行老化测试得到的第二老化测试数据；根据所述第二老化测试数据，确定所述性能参数随等效工作时间变化的函数关系；根据所述性能参数随等效工作时间变化的函数关系，确定所述性能参数的变化量随等效工作时间变化的第二函数关系。6.根据权利要求1所述的性能参数调节方法，其特征在于，所述根据所述性能参数的变化量，调节所述芯片的性能参数，包括：根据所述性能参数的变化量以及预设的参数裕量，调节所述芯片的性能参数。7.根据权利要求1所述的性能参数调节方法，其特征在于，所述监测电路至少包括环形振荡器，所述监测参数为所述环形振荡器的振荡频率；所述性能参数为所述芯片的工作电压。8.一种性能参数调节装置，其特征在于，包括：数据获取模块，用于获取监测电路的监测参数的实际值，所述监测电路用于对芯片进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐文涛，
申请(专利权)人：成都海光微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：