供电电路及电子设备制造技术

一种供电电路及电子设备，所述供电电路包括：初始电压提供单元，耦接于稳压单元，适于为所述稳压单元提供初始电压；所述稳压单元，适于基于所述初始电压生成对应的供电电压并输出；对所述供电电压进行检测，并当检测到所述供电电压小于预设的电压阈值时，对所述供电电压进行调整，直至所述供电电压大于所述电压阈值。上述的方案，可以提高供电电路的续航能力和稳定输出供电电压的能力，提高供电电路的工作性能。作性能。作性能。

【技术实现步骤摘要】
供电电路及电子设备


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种供电电路及电子设备。

技术介绍

[0002]电子设备通常认为是由集成电路、晶体管、电子管等电子元器件组成，应用电子技术发挥作用的设备。
[0003]现有的电子设备一般采用电池组进行供电。但是，电池组的存储容量有限，随着时间的推移电量会随之减少，存在着续航能力差且稳定性差的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的问题是提供一种供电电路，以提高续航能力和稳定输出电压的能力。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供了一种供电电路，用于为电子设备提供工作电压，包括初始电压提供单元和稳压单元；
[0006]所述初始电压提供单元，其输出端与所述稳压单元耦接，适于为所述稳压单元提供初始电压；
[0007]所述稳压单元，其输入端与所述初始电压提供单元耦接，适于基于所述初始电压生成对应的供电电压并输出；对所述供电电压进行检测，并当检测到所述供电电压小于预设的电压阈值时，对所述供电电压进行调整，直至所述供电电压大于所述电压阈值。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种供电电路，用于为负载提供工作电压，其特征在于，包括初始电压提供单元和稳压单元；所述初始电压提供单元，其输出端与所述稳压单元耦接，适于为所述稳压单元提供初始电压；所述稳压单元，其输入端与所述初始电压提供单元耦接，适于基于所述初始电压生成对应的供电电压并输出；对所述供电电压进行检测，并当检测到所述供电电压小于预设的电压阈值时，对所述供电电压进行调整，直至所述供电电压大于所述电压阈值。2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述稳压单元包括时钟信号生成模块、供电电压提供模块、电压检测模块和计数模块；所述时钟信号生成模块，其输出端与供电电压提供模块耦接，适于生成预设的时钟信号；所述供电电压提供模块，其时钟信号输入端与所述时钟信号生成模块耦接，其益控制信号输入端与计数模块耦接，其输出端作为所述稳压单元的输出端或与所述稳压单元的输出端耦接，适于在所述时钟信号的控制下，基于所述初始电压和对应的数字增益控制信号生成对应的供电电压；所述电压检测模块，其输入端与供电电压提供模块的输出端耦接，其输出端与所述计数模块耦接，适于将所述供电电压与预设的参考电压进行比较；当确定所述供电电压小于所述电压阈值时，生成第一控制信号；当确定所述供电电压大于所述电压阈值时，生成第二控制信号；所述计数模块，其输入端与所述电压检测模块的输出端耦接，其输出端与所述供电电压提供模块耦接，适于对接收到的所述第一控制信号进行计数，将所述第一控制信号的计数值转换为对应的数字增益控制信号并输出至所述供电电压提供模块。3.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述供电电压提供模块包括电平转换器、时钟发生器、译码与数字控制器和供电电压生成器：所述电平转换器，其时钟信号输入端作为所述供电电压提供模块的时钟信号输入端或与所述供电电压提供模块的时钟信号输入端耦接，其增益控制信号输入端作为所述供电电压提供模块的增益控制信号输入端或者与所述供电电压提供模块的增益信号输入端耦接，其时钟信号输出端与所述时钟发生器耦接，其增益信号输出端与所述译码与数字控制器耦接，适于将预设的数字时钟信号转换为对应的模拟时钟信号，并将所述数字增益控制信号；所述时钟发生器，其输入端作为所述供电电压提供模块的时钟信号输入端或与所述供电电压提供模块的时钟信号输入端耦接，其输出端与所述译码与数字控制器耦接，适于基于所述模拟时钟信号，生成脉冲控制信号；所述译码与数字控制器，其脉冲时钟信号输入端与所述时钟发生器耦接，其模拟增益控制信号输入端与所述电平转换器耦接，其输出端与所述供电电压生成器耦接，适于基于所述模拟增益控制信号，将所述脉冲控制信号转换为对应的开关控制信号；所述供电电压生成器，其开关控制信号输入端与所述译码与数字控制器的输出端耦接，其输出端作为所述供电电压提供模块的输出端或与所述供电电压提供模块的输出端耦接，适于在所述开关控制信号的控制下，采用所述初始电压生成单元对预设的电容进行充放电，以生成所述供电电压。
4.根据权利要求3所述的供电电路，其特征在于，所述供电电压生成器包括第一电容、第二电容、第三电容和第四电容、第一至第九NMOS管和第一至十一PMOS管；所述第一电容的正极分别与所述第一NMOS管的源端及第一PMOS管的漏端耦接，所述第一电容的负极分别与所述第二NMOS管的漏端及所述第二PMOS管的漏端耦接；所述第一NMOS管的栅端与第一开关控制信号，所述第一NMOS管的漏端与预设的电源电压耦接；所述第一PMOS管的栅端与第二开关控制信号耦接，所述第一PMOS管的源端与所述电源电压耦接；所述第二NMOS管的栅端与所述第一开关控制信号耦接，所述第二NMOS管的源端接地；所述第二PMOS管的栅端与第三开关控制信号耦接，所述第二PMOS管的源端与所述第三PMOS管的漏端耦接；所述第三PMOS管的栅端与第四开关控制信号耦接，所述第三PMOS管的源端与所述供电电压生成器的输出端耦接；所述第二电容的正极分别与所述第二PMOS管的源端、第三PMOS管的漏端及第三NMOS管的源端耦接，所述第二电容的负极分别与第四NMOS管的漏端、第四PMOS管的漏端及第五PMOS管的漏端耦接；所述第三NMOS管的栅端与第五开关控制信号耦接，所述三NMOS管的漏端与所述电源电压耦接；所述第四NMOS管的栅端与所述第五开关控制信号耦接，所述第四NMOS管的源端接地；所述第四PMOS管的栅端与第六开关控制信号耦接，所述第四PMOS管的源端与第六...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈方雄，郑广伟，翁芊，宋丰，李秋良，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：