带隙基准电路及芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种带隙基准电路及芯片，带隙基准电路包括：第一MOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、放大器和可调电阻单元。根据本发明专利技术的器带隙基准电路及芯片，相较于传统带隙基准电路结构，本发明专利技术的电路结构简单、输出电压精度高，对电源及地的噪声都有较好的抑制能力，可很好的解决DCDC转换器等电路中因地噪声较大的情况而对基准电压造成的干扰，可作为高性能基准电路而广泛应用于半导体集成电路中。应用于半导体集成电路中。应用于半导体集成电路中。

【技术实现步骤摘要】
带隙基准电路及芯片


[0001]本专利技术是关于集成电路领域，特别是关于一种带隙基准电路及芯片。

技术介绍

[0002]带隙基准电路已作为半导体集成电路中不可缺少的基本模块，其广泛用于放大器、模数转换器、数模转换器、射频、传感器和电源管理芯片中。传统的带隙基准电路包括基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、基于PN结正向导通特性的电压基准和带隙基准等多种实现方式。由于带隙基准具有温漂小、电压精度高等优点，因此，得到了广泛应用。
[0003]在电源管理芯片以及模/数转换器(ADC)、数/模转换器(DAC)、动态存储器(DRAM)、Flash存储器等芯片设计中，低温度系数、低功耗、高抗干扰的带隙基准设计十分关键。
[0004]现有技术的带隙基准电路中，电路抗干扰设计主要针对电源抑制比(PSSR)进行优化设计，而对地噪声没有很好的抑制能力。电源管理芯片特别是DCDC转换器芯片中地噪声一般比较大，该噪声会对带隙基准电路的输出电压有较大的干扰，进而影响整个芯片的性能。
[0005]公开于该
技术介绍
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：第一MOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、放大器和可调电阻单元；所述第一MOS管的源极与电源电压相连，所述第一MOS管的漏极与第一三极管的集电极和基极以及第二三极管的集电极和基极相连且用于输出基准电压，所述第一三极管的发射极与第三电阻的第一端以及放大器的第一输入端相连，所述第二三极管的发射极与第一电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端与放大器的第二输入端以及第二电阻的第一端相连，所述放大器的输出端与第一MOS管的栅极相连，所述第三电阻的第二端与第二电阻的第二端与可调电阻单元的第一端相连，所述可调电阻单元的第二端与地电压相连。2.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述可调电阻单元包括第四电阻和若干电阻单元，所述第四电阻和电阻单元相互串联。3.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述电阻单元包括第五电阻和第二MOS管，所述第二MOS管的漏极与第五电阻的第一端相连，所述第二MOS管的源极与第五电阻的第二端相连，所述第二MOS管的栅极用于接收控制信号。4.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路还包括启动电路，所述启动电路用于使带隙基准电路从简并态转换为正常工作状态。5.如权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路包括第八电阻、第九电阻、第三MOS管和第四MOS管；所述第八电阻的第一端、第九电阻的第一端与电源电压相连，所述第八电阻的第二端与第三MOS管的栅极以及第四MOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：张在涌，张睿君，李夏青，李子良，尹虎君，
申请(专利权)人：新际芯北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：