一种超低压差输出瞬态增强的无片外电容LDO电路制造技术

本发明专利技术属于模拟集成电路技术领域，具体提供一种超低压差输出瞬态增强的无片外电容LDO电路，用以克服现有技术存在的瞬态响应差以及电压反馈模式无法实现低压工作下的低压差输出的问题。本发明专利技术包括：第一级误差放大器、功率管、频率补偿模块、反馈模块以及第二级误差放大器，反馈模块产生第一、第二反馈信号分别输入至第一、第二级误差放大器，形成双环路反馈结构；本发明专利技术还提出相应的电流反馈模式，通过电流反馈实现低输入、低输出电压工作条件下的超低压差输出，通过双环路反馈结构提高瞬态响应性能；最终，本发明专利技术实现了超低压差输出，保证了环路增益性能，又实现在输出负载跳变时的快速瞬态响应，满足更高精度的指标要求。满足更高精度的指标要求。满足更高精度的指标要求。

【技术实现步骤摘要】
一种超低压差输出瞬态增强的无片外电容LDO电路


[0001]本专利技术属于模拟集成电路
，设计开关电源控制芯片，具体提供一种超低压差输出瞬态响应增强的无片外电容线性稳压器(LDO)电路。

技术介绍

[0002]传统无片外电容LDO电路如图1所示，主要由误差放大器、功率管(M
P
)、电压反馈模块(反馈电阻R
F1
和R
F2
)、频率补偿模块(C
m
)构成；输入电压V
dd
连接到功率管M
P
的源极，功率管M
P
的漏极输出电压信号V
out
，电阻R
F1
和R
F2
串联对输出电压进行采样，采样电压与基准电压V
ref
的差值通过运算放大器放大后反馈到功率管M
P
的栅极，对功率管M
P
的导通电阻进行调节，实现输出电压信号的稳定；其中，R1和C1分别是误差放大器输出节点的等效电阻和等效电容，R
L
和C...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超低压差输出瞬态增强的无片外电容LDO电路，包括：电流基准模块、第一级误差放大器、功率管、频率补偿模块与反馈模块；其特征在于，还包括：第二级误差放大器，电流基准模块输出基准电流I
ref
至第一级误差放大器的负输入端，第一级误差放大器与第二级误差放大器级联，第二级误差放大器的输出端连接功率管M
P
的栅极，功率管M
P
的漏极串联反馈模块，反馈模块产生第一反馈信号与第二反馈信号、分别输入至第一级误差放大器的正输入端与第二级误差放大器的反馈端，形成闭环。2.按权利要求1所述超低压差输出瞬态增强的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述第二级误差放大器由MOS管M
23
～M
28
构成，其中，MOS管M
23
与M
24
的源极均接电源电压V
dd
，MOS管M
23
的栅极作为正输入端、连接第一级误差放大器的正输出端，MOS管M
24
的栅极作为负输入端、连接第一级误差放大器的负输出端；MOS管M
23
的漏极与MOS管M
25
的漏极、MOS管M
25
的栅极、MOS管M
26
的栅极均相连，MOS管M
24
的漏极与MOS管M
26
的漏极相连、且连接点作为输出端；MOS管M
25
的源极与MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖柏冲，伍荣翔，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：