一种探针卡及其制备方法技术

一种探针卡及其制备方法，属于半导体测试技术领域，探针卡包括：基板，基板上分布有接触点；堆叠于基板的至少一层空间变换层，空间变换层包括介质层，介质层包括第一介质层和第二介质层，第一介质层内嵌设有连接点，第二介质层内嵌设有空间变换线路，连接点和空间变换线路连接，介质层远离基板的端面和空间变换线路远离基板的端面为同一平面，靠近基板的空间变换层的连接点和接触点连接；由于空间变换线路是嵌设于第二介质层的，且介质层远离基板的端面和空间变换线路远离基板的端面为同一平面，即空间变换层是平整的，在多层空间变换层堆叠时，不受到平整度的影响，进而保证了整个探针卡的空间变换线路尺寸精度和接触点位置精度。卡的空间变换线路尺寸精度和接触点位置精度。卡的空间变换线路尺寸精度和接触点位置精度。

【技术实现步骤摘要】
一种探针卡及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体测试
，具体而言，涉及一种探针卡及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着终端电子产品多功能及低功耗的需求，从28nm到5nm的制程，高阶封装的成本也在增加，能减少封装成本的晶圆探针卡技术越发重要。垂直式探针卡测试时垂直工的接触到晶粒上的测试板，在测试板上的滑行距离较小，不受尺寸和封装类型的影响，因此适用于各类型的封装。MLO或MLC的连接方式是在垂直探针卡中探针与PCB电路板连接方式中性能最好的选择。其特点是通过一片MLO或MLC作为信号传输的媒介，将主PCB板和探针头针尾连通。
[0003]当前常规MLO/MLC能力难以匹配晶元测试需求，需要进一步采用RDL技术缩小MLO/MLC的接触点间距。现有RDL制备主要流程是先旋涂光敏PI或者BCB作为介质层，接着用光刻技术曝光显影出连接孔，然后固化定型，接着采用磁控溅射技术溅镀种子层，然后旋涂光刻胶，曝光显影出图形，电镀加厚铜，然后去胶，蚀刻种子层，最终形成一层RDL积层线路，如图1所示。
[0004]现有制备的RDL主要存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种探针卡，其特征在于，所述探针卡包括：基板，所述基板上分布有接触点；至少一层空间变换层，至少一层所述空间变换层依次堆叠于所述基板，所述空间变换层包括介质层、连接点和空间变换线路，所述介质层包括第一介质层和第二介质层，所述连接点嵌设于所述第一介质层内，所述空间变换线路嵌设于所述第二介质层内，所述连接点和所述空间变换线路连接，所述介质层远离所述基板的端面和所述空间变换线路远离所述基板的端面为同一平面，靠近所述基板的所述空间变换层的连接点和所述接触点连接。2.根据权利要求1所述的探针卡的制备方法，其特征在于，所述基板包括MLO基板或MLC基板。3.根据权利要求1所述的探针卡的制备方法，其特征在于，所述连接点的直径为10
‑
25μm。4.根据权利要求1所述的探针卡的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为5
‑
15μm；和/或所述第二介质层的厚度为5
‑
15μm。5.一种探针卡的制备方法，其特征在于，所述方法包括：得到基板，所述基板上分布有接触点；在所述基板上制备空间变换层；所述制备空间变换层包括：制备介质层并开设连接孔和线路图形槽，以显露所述接触点；向所述连接孔和线路图形槽填充导电材质，以形成相互连接的连接点和空间变换线路，后进行研磨，以使所述介质层远离所述基板的端面和所述空间变换线路远离所述基板的端面为同一平面；重复进行所述制备空间变换层的制备，直至达到目标空间变换层数量，得到探针卡。6.根据权利要求5所述的探针卡的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上制备空间...

【专利技术属性】
技术研发人员：易凡，陈蓓，史宏宇，
申请(专利权)人：深圳市华芯微测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：