一种LED封装芯片切割用UV保护膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED封装芯片切割用UV保护膜及其制备方法，其LED封装芯片切割用UV保护膜包括：基材层、UV胶粘剂层和PET离型膜层，其中，所述UV胶粘剂层的下表面粘接为基材层，所述UV胶粘剂层上覆盖PET离型膜层，所述基材层包括电晕面和非电晕面。本发明专利技术的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其在UV光照射前，有着较强的初粘力，使得在芯片切割时，不产生飞料和移位现象。在UV光照射后，降低了粘力，使芯片易于剥离，无残胶。同时，在高粘度高官能度高软化点的聚氨酸酯齐聚物以及一定厚度的PO膜层的作用下，提高了胶粘层的抗冲击能力、耐热性，采用四段式烘干技术使得UV保护膜具有一定的柔性，使其更易与芯片的弧形边缘贴合。使其更易与芯片的弧形边缘贴合。

【技术实现步骤摘要】
一种LED封装芯片切割用UV保护膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及胶粘膜
，分类号为C09J7/29，更具体地，本专利技术涉及一种LED封装芯片切割用UV保护膜。

技术介绍

[0002]LED芯片是一种固态的半导体器件，在制作LED芯片的过程中，通常用环氧树脂在芯片基底进行封装，目前市场上用来切割LED芯片的UV保护膜存在以下几个问题：(1)UV光照射前，UV保护膜与用环氧树脂封装的芯片粘度不够强，容易造成芯片飞料、移位。(2)UV保护膜与芯片的弧形边缘不够贴合。(3)UV膜耐热、抗冲击性能不佳。(4)UV光照射后，UV保护膜与芯片的粘着力太强，不易拨料，容易造成残胶等情况。
[0003]专利CN202110107182.2的专利公开了一种关于UV减粘保护膜及其制作方法，通过设置抗静电涂层、PO基材层、抗静电UV减粘胶层与PET离型层，UV光照之前剥离强度高，UV光照后剥离强度低，无残胶、具有抗静电性能，但无UV膜耐热、抗冲击性能。
[0004]专利CN201710496605.8公开了一种UV减粘型胶带及其制备方法，设置离型膜层、底面涂层、UV减粘胶层、以及PO膜层，仅提高了UV减粘胶带的固定能力。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题，本专利技术的第一个方面提供了一种LED封装芯片切割用UV保护膜，包括：基材层、UV胶粘剂层和PET离型膜层，其中，所述UV胶粘剂层的下表面粘接为基材层，所述UV胶粘剂层上覆盖PET离型膜层，所述基材层包括电晕面和非电晕面。/>[0006]优选的，所述UV胶粘剂层的厚度为10
‑
20μm。
[0007]进一步优选的，所述UV胶粘剂层的厚度为20μm。
[0008]优选的，所述PET离型膜层的厚度为50
‑
75μm。
[0009]进一步优选的，所述PET离型膜层的厚度为75μm。
[0010]优选的，所述UV胶粘剂层，按重量份计，其原料包括，低表面能UV减粘胶水60
‑
100份，高粘度齐聚物2
‑
10份，固化剂0.1
‑
0.5份，光引发剂1
‑
5份，稀释剂25
‑
35份。
[0011]进一步优选的，所述UV胶粘剂层，按重量份计，其原料包括，低表面能UV减粘胶水100份，高粘度齐聚物2份，固化剂0.2份，光引发剂2份，稀释剂35份。
[0012]进一步优选的，所述光引发剂为TPO((2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦)，所述稀释剂为乙酸乙酯。
[0013]优选的，所述高粘度齐聚物为多官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物，所述多官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物为六官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物或/和九官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物。
[0014]进一步优选的，所述高粘度齐聚物为九官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物。
[0015]优选的，所述高粘度齐聚物在60℃下的动力粘度为10000
‑
25000mpa.s，软化点为102℃。聚氨脂丙烯酸酯含有丙烯酸官能团和氨基甲酯键，异氰酸酯的
‑
NCO丙烯酸官能团的
羟基相连接，形成了分子间的交联，同时，UV减粘胶水中的羟基与异氰酸酯发生反应，增大了物质的粘度，聚氨脂丙烯酸酯齐聚物、UV减粘胶水和异氰酸酯形成了一个密集的三维网状交联分子链，提高了胶水的粘着力和附着力，本申请人发现，当聚氨酯丙烯酸酯齐聚物为九官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物，增大了其反应活性，分子链交联越密集，使得光固化速度越快，UV光照射后，粘度快速降低，从而更易剥离。高粘度的齐聚物一定程度上减弱了UV减粘胶水的柔性，增强了产品的硬度，与此同时，较高的软化点使得产品的耐热性能更高。
[0016]进一步优选的，所述高粘度齐聚物在60℃下的动力粘度为17500mpa.s。
[0017]优选的，所述UV胶粘剂层，按重量份计，其原料包括，低表面能UV减粘胶水60
‑
100份，高粘度齐聚物2
‑
5份，固化剂0.1
‑
0.3份，光引发剂1
‑
5份，稀释剂25
‑
35份。
[0018]进一步优选的，所述UV胶粘剂层，按重量份计，其原料包括，低表面能UV减粘胶水100份，高粘度齐聚物2份，固化剂0.2份，光引发剂2份，稀释剂35份。
[0019]进一步优选的，所述低表面能UV减粘胶水制备原料，按重量份计，其原料包括：丙烯酸异辛酯90份，丙烯酸0.5份，丙烯酸羟乙酯9.5份，偶氮二异丁腈0.1份，乙酸乙酯117份，二丁基羟基甲苯0.05份，月桂酸二丁基锡0.05份，丙烯酸2
‑
异氰基乙酯3份。
[0020]进一步优选的，所述低表面能UV减粘胶水的制备方法如下：按重量份依次将丙烯酸异辛酯，丙烯酸，丙烯酸羟乙酯，偶氮二异丁腈，乙酸乙酯混合后得到溶液A，将溶液A进行2h的N2置换后，在65℃下进行6h聚合，之后升温至80℃，保温2h后得到溶液B，再加入30重量份的乙酸乙酯，冷却至室温后，加入0.05重量份二丁基羟基甲苯和0.05重量份月桂酸二丁基锡，然后在N2和O2的比例为95:5的混合气体中，加温到55℃稳定10min，然后滴加3重量份丙烯酸2
‑
异氰基乙酯和17重量份的乙酸乙酯的混合物，滴加时间为1h，再反应3h,得到低表面能UV减粘胶水。
[0021]进一步优选的，所述固化剂为异氰酸酯，所述异氰酸酯为甲苯二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯中的至少一种。
[0022]进一步优选的，所述异氰酸酯为异佛尔酮二异氰酸酯。
[0023]一定重量份的固化剂促进了聚氨酯丙烯酸酯齐聚物与UV减粘胶水的相容性，本申请人还发现当异氰酸酯固化剂重量份为0.2份，聚氨酯丙烯酸酯齐聚物的重量份为2份时，胶水中存在游离的
‑
NCO基团，能够与涂有环氧树脂基底的芯片中环氧基团发生反应，增强了与芯片基底的润湿性和粘着力。
[0024]本专利技术的第二个方面提供了一种LED封装芯片切割用UV保护膜的制备方法，包括以下步骤：
[0025](1)涂布，使用微凹涂布机将UV胶粘剂层涂布在基材层的电晕面上得到复合层A。(2)烘干；将复合层A放入烘箱干燥，烘干条件为设置涂布机烘箱温度为四段式80
‑
90℃，90
‑
100℃，100
‑
110℃，110
‑
120℃来进行烘干，每段烘干时间为30s；
[0026](3)贴覆，辊的压力下，将所述PET离型膜层贴覆于UV胶粘剂层上得到UV膜半成品，再对UV膜半成品进行收卷。所述覆合辊的压力为0.4
‑
0.5MPa；
[0027](4)熟化，UV膜半成品于40
‑
50℃的条件下熟化，时间为2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，包括：基材层、UV胶粘剂层和PET离型膜层，其中，所述UV胶粘剂层的下表面粘接为基材层，所述UV胶粘剂层上覆盖PET离型膜层，所述基材层包括电晕面和非电晕面。2.根据权利要求1所述的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，所述UV胶粘剂层的厚度为10
‑
20μm。3.根据权利要求1所述的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，所述PET离型膜层的厚度为50
‑
75μm。4.根据权利要求2或3所述的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，所述UV胶粘剂层，按重量份计，其原料包括，低表面能UV减粘胶水60
‑
100份，高粘度齐聚物2
‑
10份，固化剂0.1
‑
0.5份，光引发剂1
‑
5份，稀释剂25
‑
35份。5.根据权利要求4所述的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，所述高粘度齐聚物为多官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物，所述多官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物为六官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物或/和九官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物。6.根据权利要求2所述的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，所述高粘度齐聚物在60℃下的动力粘度为10000
‑
25000mpa.s，软化点为102℃。7.根据权利要求1所述的一种L...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨海，金宇，胡传金，王洋，魏强，
申请(专利权)人：上海科谷纳新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：