一种LED封装芯片切割用UV保护膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED封装芯片切割用UV保护膜及其制备方法，其LED封装芯片切割用UV保护膜包括：基材层、UV胶粘剂层和PET离型膜层，其中，所述UV胶粘剂层的下表面粘接为基材层，所述UV胶粘剂层上覆盖PET离型膜层，所述基材层包括电晕面和非电晕面。本发明专利技术的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其在UV光照射前，有着较强的初粘力，使得在芯片切割时，不产生飞料和移位现象。在UV光照射后，降低了粘力，使芯片易于剥离，无残胶。同时，在高粘度高官能度高软化点的聚氨酸酯齐聚物以及一定厚度的PO膜层的作用下，提高了胶粘层的抗冲击能力、耐热性，采用四段式烘干技术使得UV保护膜具有一定的柔性，使其更易与芯片的弧形边缘贴合。使其更易与芯片的弧形边缘贴合。

【技术实现步骤摘要】
一种LED封装芯片切割用UV保护膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及胶粘膜
，分类号为C09J7/29，更具体地，本专利技术涉及一种LED封装芯片切割用UV保护膜。

技术介绍

[0002]LED芯片是一种固态的半导体器件，在制作LED芯片的过程中，通常用环氧树脂在芯片基底进行封装，目前市场上用来切割LED芯片的UV保护膜存在以下几个问题：(1)UV光照射前，UV保护膜与用环氧树脂封装的芯片粘度不够强，容易造成芯片飞料、移位。(2)UV保护膜与芯片的弧形边缘不够贴合。(3)UV膜耐热、抗冲击性能不佳。(4)UV光照射后，UV保护膜与芯片的粘着力太强，不易拨料，容易造成残胶等情况。
[0003]专利CN202110107182.2的专利公开了一种关于UV减粘保护膜及其制作方法，通过设置抗静电涂层、PO基材层、抗静电UV减粘胶层与PET离型层，UV光照之前剥离强度高，UV光照后剥离强度低，无残胶、具有抗静电性能，但无UV膜耐热、抗冲击性能。
[0004]专利CN201710496605.8公开了一种UV减粘型胶带及其制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，包括：基材层、UV胶粘剂层和PET离型膜层，其中，所述UV胶粘剂层的下表面粘接为基材层，所述UV胶粘剂层上覆盖PET离型膜层，所述基材层包括电晕面和非电晕面。2.根据权利要求1所述的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，所述UV胶粘剂层的厚度为10
‑
20μm。3.根据权利要求1所述的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，所述PET离型膜层的厚度为50
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75μm。4.根据权利要求2或3所述的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，所述UV胶粘剂层，按重量份计，其原料包括，低表面能UV减粘胶水60
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100份，高粘度齐聚物2
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10份，固化剂0.1
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0.5份，光引发剂1
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5份，稀释剂25
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35份。5.根据权利要求4所述的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，所述高粘度齐聚物为多官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物，所述多官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物为六官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物或/和九官能度聚氨酯丙烯酸酯齐聚物。6.根据权利要求2所述的一种LED封装芯片切割用UV保护膜，其特征在于，所述高粘度齐聚物在60℃下的动力粘度为10000
‑
25000mpa.s，软化点为102℃。7.根据权利要求1所述的一种L...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨海，金宇，胡传金，王洋，魏强，
申请(专利权)人：上海科谷纳新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：