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本发明公开了一种LED封装芯片切割用UV保护膜及其制备方法,其LED封装芯片切割用UV保护膜包括:基材层、UV胶粘剂层和PET离型膜层,其中,所述UV胶粘剂层的下表面粘接为基材层,所述UV胶粘剂层上覆盖PET离型膜层,所述基材层包括电晕面和...该专利属于上海科谷纳新材料科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海科谷纳新材料科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种LED封装芯片切割用UV保护膜及其制备方法,其LED封装芯片切割用UV保护膜包括:基材层、UV胶粘剂层和PET离型膜层,其中,所述UV胶粘剂层的下表面粘接为基材层,所述UV胶粘剂层上覆盖PET离型膜层,所述基材层包括电晕面和...