一种覆铜板结构制造技术

一种覆铜板结构，包括两层导体层，至少三层位于两层导体层之间的绝缘介质层，至少一层绝缘介质层为改进的绝缘介质层，改进的绝缘介质层由环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料组成，各组分的重量百分比含量为：环氧树脂６０－９０％，潜伏型固化剂１－１５％，固化促进剂０．０１－０．３％，填料５－２５％。所述填料为无机粉末，无机粉末选自结晶硅微粉、氧化铝粉、氢氧化镁粉、氢氧化铝粉、白垩粉、层状硅酸盐粉末、重晶石粉末、海泡石粉、滑石粉、云母粉中至少一种粉末。本发明专利技术对照现有技术的有益效果是，制作出来的覆铜板和不含填料的覆铜板性能相差不大，却有效降低了制作成本，并且不需要对生产设备作出特定的修改，有利于推广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种覆铜板结构。
技术介绍
现有的覆铜板(CCL)的生产成本构成中，大多数材料的成本难 以降低，难以达到降低生产成本的目的。以使用比例最高的玻纤环氧 基板为例，原材料占生产成本约70 80%左右，其余则为人工、水电 及折旧等难以降低的部分；在原材料成本中，玻纤布约占四成多、铜 箔占近三成、环氧树脂亦占近三成。其中玻纤布和铜箔由于主要依赖 于上游原料厂家，可替代材料不多，并且现今国际石油价格节节攀高，， 所以无法降低玻纤布和铜箔的成本。因此要降低覆铜板的生产成本， 比较可行的方案是降低环氧树脂的生产成本，从而达到降低覆铜板的 生产成本的目的。
技术实现思路
本专利技术的目的是对现有技术进行改进，提供一种覆铜板结构，可 以，采用的技术方案如下本专利技术的一种覆铜板结构，包括两层导体层，至少三层位于两层 导体层之间的绝缘介质层，其特征在于至少一层绝缘介质层为改进 的绝缘介质层，改进的绝缘介质层由环氧树脂、潜伏型固化剂、固化 促进剂、填料组成，各组分的重量百分比含量为环氧树脂 60-90%，潜伏型固化剂 1-15%，固化促进剂 0.01-0.3%，填料 5-25%。所述填料为无机粉末，无机粉末选自结晶硅微粉、氧化铝粉、氢氧化镁粉、氢氧化铝粉、白垩粉(CaC03)、层状硅酸盐粉末、重晶石 粉末、海泡石粉、滑石粉、云母粉中至少一种粉末。也就是说可以是 其中的一种，也可以是其中的两种或两种以上。所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂，结构式如下<formula>formula see original document page 5</formula>所述潜伏型固化剂为二氰二氨或芳香族二胺类固化剂。一种较优的方案，所述潜伏型固化剂选用二氰二氨，结构式如下:<formula>formula see original document page 5</formula>另一种方案，所述潜伏型固化剂为芳香族二胺类固化剂，所述芳香族二胺类固化剂种类选自4，4'-二氨基二苯甲烷(DDM)、 4,4'-二氨基二苯醚(DDE)、 4,4'-二氨基二苯砜(DDS)中的一种。所述固化促进剂是咪唑类促进剂，咪唑类促进剂选自2-甲基咪 唑、2-乙基-4-甲基咪唑、N-甲基咪唑中的一种，首选2-甲基咪唑。为了更好的保证覆铜板的性能，所述改进的绝缘介质层与导体层 之间的距离大于零。也就是说，改进的绝缘介质层不与导体层直接接 触，改进的绝缘介质层与导体层之间必定有一层没有改进的绝缘介质 层(也就是现有技术所采用的绝缘介质层)。这是因为如果直接使用 含有填料的绝缘介质层压制覆铜板，会出现铜箔结合力差，剥离强度 下降、热冲击性能降低等缺点，这不但影响到覆铜板的性能，而且也 会在后续的印制电路板制程中出现钻孔披峰大等缺陷，导致填料在覆铜板的生产中的应用不是很广泛。所述所有绝缘介质层的厚度为60—250pm。也就是说，改进的绝 缘介质层的厚度为60—250pm，而其它的绝缘介质层的厚度也为60 —250,。所述改进的绝缘介质层的数目至少为两个，并且至少两个改进的 绝缘介质层所采用的填料有差别。也就是说至少两个改进的绝缘介质 层所采用的填料选用的成分不完全一样。本专利技术对照现有技术的有益效果是，制作出来的覆铜板和不含填 料的覆铜板性能相差不大，但是却有效降低了制作成本，并且对覆铜 板的生产过程没有作出多大的改变，不需要对生产设备作出特定的修 改，有利于推广。附图说明图l是实施例l的结构示意图2是实施例2的结构示意图。具体实施方式 实施例1如图1所示，覆铜板各层的结构从下到上依次为铜箔1、不含填 料的第一绝缘介质层2、第一改进的绝缘介质层3、第二改进的绝缘 介质层4、第三改进的绝缘介质层5、第四改进的绝缘介质层6、第五 改进的绝缘介质层7、第六改进的绝缘介质层8、不含填料的第二绝 缘介质层9、铜箔10。第一绝缘介质层2的厚度为250pm、第一改进的绝缘介质层3的 厚度为250)am、第二改进的绝缘介质层4的厚度为210,、第三改进 的绝缘介质层5的厚度为lOO)im、第四改进的绝缘介质层6的厚度为 130pm、第五改进的绝缘介质层7的厚度为60pm、第六改进的绝缘介 质层8的厚度为160)im、第二绝缘介质层9的厚度为200pm。第一改进的绝缘介质层3、第二改进的绝缘介质层4、第三改进的绝缘介质层5、第四改进的绝缘介质层6、第五改进的绝缘介质层 7、第六改进的绝缘介质层8的组分均相同，均包括环氧树脂、潜伏 型固化剂、固化促进剂、填料，填料为结晶硅微粉，平均粒径为6.5,。 环氧树脂为GEBR 454A80。 GEBR 454A80是一种双酚A环氧树 脂，购自广州宏昌电子材料工业有限公司，环氧当量为430g/Eq。潜伏型固化剂为二氰二氨(DICY)，促进剂为2-甲基咪唑(2-MI)。上述物质的配比见表l所列表1<table>table see original document page 7</column></row><table>实施例2如图2所示，覆铜板各层的结构从下到上依次为铜箔l'、不含 填料的第一绝缘介质层2'、第一改进的绝缘介质层3'、第二改进的 绝缘介质层4'、不含填料的第二绝缘介质层5'、不含填料的第三绝 缘介质层6'、第三改进的绝缘介质层7'、第四改进的绝缘介质层8'、 不含填料的第四绝缘介质层9'、铜箔10'。上述所有绝缘介质层的厚 度均为200pm。第一改进的绝缘介质层3'、第二改进的绝缘介质层4'的组分相 同，均包括环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料，填料为 滑石粉，滑石粉平均粒径为0. 8 u m。环氧树脂为GEBR 454A80。 GEBR 454A80是一种双酚A环氧树 脂，购自广州宏昌电子材料工业有限公司，环氧当量为430g/Eq。 潜伏型固化剂为4,4'-二氨基二苯砜，促进剂为2-乙基-4-甲基咪唑。 上述物质的配比见表2所列<table>table see original document page 8</column></row><table>第三改进的绝缘介质层7'包括环氧树脂、潜伏型固化剂、固 化促进剂、填料，填料为氢氧化镁，平均粒径为10iim。环氧树脂为GEBR 454A80。 GEBR 454A80是一种双酚A环氧树 脂，购自广州宏昌电子材料工业有限公司，环氧当量为430g/Eq。 潜伏型固化剂为4,4'-二氨基二苯醚，促进剂为N-甲基咪唑。上述物质的配比见表3所列<table>table see original document page 8</column></row><table>第四改进的绝缘介质层8'包括环氧树脂、潜伏型固化剂、固 化促进剂、填料。填料为云母粉，平均粒径为10um。环氧树脂为GEBR 454A80。 GEBR 454A80是一种双酚A环氧树 脂，购自广州宏昌电子材料工业有限公司，环氧当量为430g/Eq。 潜伏型固化剂为4,4'-二氨基二苯甲烷，促进剂为2-甲基咪唑 (2-MI本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆铜板结构，包括两层导体层、至少三层位于两层导体层之间的绝缘介质层，其特征在于：至少一层绝缘介质层为改进的绝缘介质层，改进的绝缘介质层由环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料组成，各组分的重量百分比含量为：　环氧树脂　６０－９０％，　潜伏型固化剂　１－１５％，　固化促进剂　０．０１－０．３％，　填料　５－２５％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何志球，黄吉军，郭瑞珂，
申请(专利权)人：广东汕头超声电子股份有限公司覆铜板厂，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]