【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体存储器的电子装置的操作方法
[0001]本文所述的本公开的实施例涉及电子装置的操作方法，更具体地，涉及用于制造半导体装置的电子装置的操作方法，该操作方法在光学邻近校正(OPC)中无需后处理即可防止缺陷。
技术介绍
[0002]光学邻近校正(OPC)可以预先校正由于光刻工艺期间的工艺特性或工艺错误导致的生成的掩模图案的形状与目标掩模图案的形状不同。在光学邻近校正期间，可将用于工艺的光掩模图案的形状与目标掩模图案的形状不同地进行校正，使得生成的掩模图案的形状与目标掩模图案一致。
[0003]光学邻近校正期间可能会出现各种缺陷。在光学邻近校正期间发生的缺陷可能使通过光学邻近校正获得的光掩模不可用。当光掩模不可用时，用于光学邻近校正的时间和成本可能无法挽回。
技术实现思路
[0004]本公开的实施例提供了一种能够执行防止发生缺陷的光学邻近校正的装置和方法。
[0005]根据实施例，一种用于制造半导体装置的电子装置的操作方法包括：接收半导体装置的布局图像；通过基于布局图像的主要特征生成辅助...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体装置的电子装置的操作方法，所述方法包括：接收所述半导体装置的布局图像；通过基于所述布局图像的主要特征生成辅助特征来生成中间图像；通过基于所述中间图像执行仿真来评估处理结果；以及通过基于所述处理结果校正所述中间图像的所述主要特征的形状和/或所述辅助特征的形状来校正所述中间图像。2.根据权利要求1所述的方法，其中，重复所述评估和所述校正，直至所述中间图像的校正结果与所述布局图像匹配。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述评估包括：从所述中间图像生成曲线形状图像；通过将所述曲线形状图像像素化来生成掩模图像；通过对所述掩模图像执行光学仿真来生成光学图像；通过对所述光学图像执行光致抗蚀剂仿真来生成光致抗蚀剂图像；以及基于所述光致抗蚀剂图像评估所述处理结果。4.根据权利要求3所述的方法，其中，生成所述曲线形状图像包括：生成内接于连接所述主要特征中的每一个的点的外线的曲线，作为与所述主要特征中的每一个对应的所述曲线形状图像的元素。5.根据权利要求4所述的方法，其中，校正所述中间图像包括：调整所述点中的至少一个的位置。6.根据权利要求3所述的方法，还包括：生成连接所述主要特征中的每一个的点的曲线，作为与所述主要特征中的每一个对应的所述曲线形状图像的元素。7.根据权利要求6所述的方法，其中，校正所述中间图像包括：调整所述点中的至少一个的位置。8.根据权利要求3所述的方法，其中，生成所述曲线形状图像包括：生成从所述主要特征中的每一个的点基于样条曲线函数生成的曲线，作为与所述主要特征中的每一个对应的所述曲线形状图像的元素。9.根据权利要求8所述的方法，其中，校正所述中间图像包括：调整所述点中的至少一个的位置。10.根据权利要求3所述的方法，其中，生成所述曲线形状图像包括：在所述辅助特征中的每一个内部的点处，基于在每个点上标记的至少一个点标识符信息连接点，并且生成基于互相连接的点中的每一个的宽度信息的边界线作为所述曲线形状图像的元素。11.根据权利要求10所述的方法，其中，校正所述中间图像包括：调整所述点中的至少一个点的位置和宽度信息中的至少一个。12.根据权利要求1所述的方法，其中，评估所述处理结果包括：计算在所述主要特征中的每一个的边界线处的光的强度的变化的斜率。13.根据权利要求1所述的方法，其中，与评估所述处理结果反向地执行校正所述中间图像。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，校正所述中间图像包括：根据所述主要特征中的每一个的边界线处的光的强度的变化的目标斜率，计算所述光的强度的变化相对于光致抗蚀剂图像的变化的目标斜率的变化；根据所述光的强度的变化相对于所述光致抗蚀剂图像的变化的所述目标斜率的变化，计算所述光的强度的变化相对于光学图像的变化的目标斜率的变化；根据所述光的强度的变化相对于所述光学图像的变化的所述目标斜率的变化，计算所述光的强度的变化相对于掩模图像的变化的目标斜率的变化；根据所述光的强度的变化相对于所述掩模图像的变化的所述目标斜率的变化，计算所述光的强度的变化相对于曲线形状图像的变化的目标斜率的变化；以及根据所述光的强度的变化相对于所述曲线形状图像的变化的所述目标斜率的变化，计...
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