【技术实现步骤摘要】
一种大线宽尺寸线扫光刻光源模组
[0001]本技术涉及光刻光源
,具体为一种大线宽尺寸线扫光刻光源模组。
技术介绍
[0002]光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。而一种大线宽尺寸线扫光刻光源模组,是利用LED光源发出光线经过均光镜组产生高均匀光斑,经过TIR透镜,将光导入数字微反射镜,利用数字微反射镜产生的圆形光斑,经过TIR透镜转向给透镜组,如此将平行光斑变成放大光斑,最后再利用第一垂直透镜,将放大光斑转成平行垂直光线,然后投射在待光刻晶片或PCB板上;
[0003]针对已知的光刻光源模组,参考专利号:CN215219416U,现有的部分光刻光源模组在进行时一般都是使用LED光源发出的光线,而LED光源发出的光线经过均光镜组后容易产生高均匀光斑,使得光斑在进入TIR透镜时会产生偏差,而且,现有的部分光刻光源模组中的透镜组通常为固定状设置,而在需要调整光线角度时非常不便,容易出现光线投射不准的现象。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种大线宽尺寸线扫光刻光源模组,以解决 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种大线宽尺寸线扫光刻光源模组,其特征在于,包括:LED光源(1),所述LED光源(1)的左端设有均光镜组(2);第二垂直透镜(3),其设于均光镜组(2)的左端;TIR透镜(4),其设于第二垂直透镜(3)的左端;数字微反射镜(5),其设于TIR透镜(4)的左端;透镜组(6),其设于TIR透镜(4)的下方;第一垂直透镜(7),其设于透镜组(6)的下方。2.根据权利要求1所述的一种大线宽尺寸线扫光刻光源模组,其特征在于,所述第一垂直透镜(7)的下方设有待光刻晶片(8),且第一垂直透镜(7)、透镜组(6)与TIR透镜(4)均设于同一直线上。3.根据权利要求1所述的一种大线宽尺寸线扫光刻光源模组,其特征在于,所述均光镜组(2)用于将产生高均匀光斑。4...
【专利技术属性】
技术研发人员:周亚兴,唐孝生,庄益祯,游证杰,
申请(专利权)人:奇格半导体重庆有限责任公司,
类型:新型
国别省市:
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