【技术实现步骤摘要】
一种低介电损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法
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[0001]本专利技术涉及聚酰亚胺薄膜
,尤其涉及一种基于特定组合的氟代二酐所制得的低介电损耗聚酰亚胺薄膜及其制备工艺。
技术介绍
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[0002]聚酰亚胺作为一种耐高温、耐化学腐蚀、高力学性能及低介电常数及损耗的高性能高分子材料,广泛地应用于微电子工业、先进液晶显示技术、集成电路等领域。随着上述科技领域的进步,其对聚酰亚胺提出了更苛刻的性能要求。随着5G时代的到来,对信号的传输要求速度更快,传输信号强度更强,其需要介质材料在GHz工作条件下的介电常数和介电损耗更小;此外材料的力学性能,玻璃化转变温度以及热膨胀系数对天线和柔性电路的稳定性也起着至关重要的作用(Journal of Industrial and Engineering Chemistry,2015,28:16
‑
27.)。
[0003]传统的芳香族聚酰亚胺材料已经很难满足这些性能要求,此外芳香族聚酰亚胺在常用有机溶剂中的低溶解度,使其制备加工困难。芳香族聚酰亚胺由于分子内的共轭形成电子转移络合物,使得聚酰亚胺材料具有黄色或深棕色,透明性不能满足要求。
[0004]目前,市场常用低介电损耗聚酰亚胺薄膜的介电损耗范围为≤0.009,对于更低的损耗要求,当下的低介电聚酰亚胺薄膜不能得到很好的应用,目前市场常用低介电聚酰亚胺材料的制备主要采用单体结构为脂环结构,破坏分子链间电荷转移效应(CTC),从而达到降低介电常数的目的。然而含脂环结构的聚酰亚胺薄膜不能有效降低材料的介电损耗,并
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种含氟聚酰亚胺,其特征在于,所述含氟聚酰亚胺由二胺单体和选自由下述式(1)
‑
(5)所示任意两种以上结构的含氟二酐单体组成的混合含氟二酐单体聚合得到聚酰亚胺前体溶液后经亚胺化得到:其中,Ar为苯基,X选自O,S或NH;R1、R2、R3、R4为下式(6)
‑
(11)中的任意一种:其中,1≤n≤6;条件是:R1‑
R4的选择应当使得式(2)
‑
(5)各自具有至少1个含氟取代基;所述混合含氟二酐单体至少包括式(1)和式(5)单体的一种。2.根据权利要求1所述的含氟聚酰亚胺,其特征在于,所述二胺单体选自:1,4
‑
二胺基苯、4,4
’‑
二胺基联苯、4,4
‑
二氨基二苯醚、4,4
’‑
二氨基二苯酮、4,4
’‑
二氨基二苯醚二苯砜、4,4
’‑
二氨基二苯醚双酚A、2,2
’‑
二甲基
‑
4,4
’‑
二氨基联苯的一种或多种。3.根据权利要求1所述的含氟聚酰亚胺,其特征在于,R1‑
R4的选择应当使得式(2)
‑
(5)各自具有至少2个含氟取代基。4.根据权利要求1所述的含氟聚酰亚胺,其特征在于,所述混合含氟二酐单体和二胺单体的摩尔比为1:0.85
‑
1.15。5.根据权利要求1所述的含氟聚酰亚胺,其特征在于,所述混合含氟二酐单体选自由下式任意两种以上结构的含氟二酐单体:
6.一种含氟聚酰亚胺薄膜,其特征在于,将...
【专利技术属性】
技术研发人员:贾叙东,张秋红,刘彩霞,朱唐宋,潘毅,王毅,陈强,施建志,杜鸿昌,
申请(专利权)人:四川茵地乐材料科技集团有限公司,
类型:发明
国别省市:
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