半导体结构及半导体结构的制作方法技术

本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构，包括：衬底；隔离结构，隔离结构形成于衬底内；字线，字线的部分位于隔离结构内；导电部，导电部位于隔离结构的底部，用于排斥电子。通过使得导电部位于隔离结构的底部，从而在字线打开时，隔离结构底部的导电部会排斥表面电子，从而阻断漏电路径，以此避免半导体结构出现漏电问题，改善半导体结构的性能。改善半导体结构的性能。改善半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的制作方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。

技术介绍

[0002]随着DRAM(Dynamic Random Access Memory)尺寸的不断缩小，存储区域的晶体管尺寸也在不断缩小，由此带来严重的漏电流问题，影响器件性能。

技术实现思路

[0003]本公开提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，以改善半导体结构的性能。
[0004]根据本公开的第一个方面，提供了一种半导体结构，包括：
[0005]衬底；
[0006]隔离结构，隔离结构形成于衬底内；
[0007]字线，字线的部分位于隔离结构内；
[0008]导电部，导电部位于隔离结构的底部。
[0009]在本公开的一个实施例中，导电部与衬底相接触。
[0010]在本公开的一个实施例中，导电部与衬底的电压均为负电压。
[0011]在本公开的一个实施例中，导电部包括：
[0012]第一导电层，第一导电层的部分位于隔离结构内。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；隔离结构，所述隔离结构形成于所述衬底内；字线，所述字线的部分位于所述隔离结构内；导电部，所述导电部位于所述隔离结构的底部。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部与所述衬底相接触。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部与所述衬底的电压均为负电压。4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部包括：第一导电层，所述第一导电层的部分位于所述隔离结构内。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层与所述衬底相接触；其中，所述第一导电层的材料包括多晶硅。6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部还包括：第二导电层，所述第二导电层与所述衬底相接触，所述第一导电层位于所述第二导电层的上表面。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的材料包括金属材料，所述第二导电层的材料包括金属硅化物。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线为埋入式字线。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构为浅沟道隔离结构。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一接触插塞；第二接触插塞，所述第一接触插塞和所述第二接触插塞分别位于所述字线的两侧；其中，所述第一接触插塞和所述第二接触插塞均为电容接触插塞。11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部位于所述字线的下方，且与所述字线绝缘设置。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部的高度小于所述导电部与所述字线之间的间距。13.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底内形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：