半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了半导体器件，包括衬底、电容结构、支撑结构、以及辅助层。电容结构设置在衬底上，并包括多个柱状底电极、电容电介质层、以及顶电极层。支撑结构设置在相邻的柱状底电极之间，并包括由下而上依序设置的第一支撑层与第二支撑层。辅助层仅夹设在各柱状底电极与支撑结构之间，并直接接触第一支撑层、第二支撑层与柱状底电极的侧壁。如此，通过辅助层的设置强化柱状底电极与支撑结构之间的黏着性，并提供应力缓冲，进而获得更为稳定而可靠的结构，并达到相对优化的器件效能。并达到相对优化的器件效能。并达到相对优化的器件效能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本技术涉及一种半导体器件，尤其是涉及一种半导体存储器件。

技术介绍

[0002]随着各种电子产品朝小型化发展之趋势，半导体器件的设计也必须符合高积集度及高密度之要求。对于具备凹入式闸极结构之动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载子通道长度，以减少电容结构之漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构的动态随机存取记忆体。一般来说，具备凹入式闸极结构的动态随机存取存储器是由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成一阵列区，用来存储信息，而每一存储单元可由一晶体管组件与一电容器组件串联组成，以接收来自字线(word line,WL)及位线(bit line,BL)的电压信息。因应产品需求，阵列区中的存储单元密度须持续提升，造成相关制作工艺与设计上的困难度与复杂度不断增加。因此，现有技术或结构还待进一步改良以有效提升相关存储器件的效能及可靠度。

技术实现思路

[0003]本技术之一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于包括：衬底；电容结构，设置在所述衬底上，所述电容结构包括多个柱状底电极、电容电介质层、以及顶电极层；支撑结构，设置在相邻的所述柱状底电极之间，所述支撑结构包括由下而上依序设置的第一支撑层与第二支撑层；以及辅助层，仅夹设在各所述柱状底电极与所述支撑结构之间，并直接接触所述第一支撑层、所述第二支撑层与所述柱状底电极的侧壁。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：多个存储节点焊盘，设置在所述衬底上并分别接触各所述柱状底电极；以及绝缘层，设置在所述存储节点焊盘上并覆盖所述衬底的表面。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，各所述柱状底电极的一部分伸入各所...

【专利技术属性】
技术研发人员：童宇诚，张钦福，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：