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本实用新型公开了半导体器件，包括衬底、电容结构、支撑结构、以及辅助层。电容结构设置在衬底上，并包括多个柱状底电极、电容电介质层、以及顶电极层。支撑结构设置在相邻的柱状底电极之间，并包括由下而上依序设置的第一支撑层与第二支撑层。辅助层仅夹设在...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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