一种修调电路和存储器制造技术

本公开涉及半导体领域，目前的修调电路的控制逻辑较为复杂，本公开提供一种修调电路和存储器，修调电路包括控制模块和输出模块，控制模块中的第一熔丝单元的熔断状态指示修调参数的取值，控制模块仅根据工作控制信号即可对第一熔丝单元的熔断状态进行读出，后续经由输出模块输出修调参数，控制逻辑简单。控制逻辑简单。控制逻辑简单。

【技术实现步骤摘要】
一种修调电路和存储器


[0001]本公开涉及半导体领域，尤其涉及一种修调电路和存储器。

技术介绍

[0002]目前，由于集成电路的性能指标要求越来越高，芯片设计面临高精度的挑战，尤其在高速且高精度的数模转换器或模数转换器、高精度的基准源电路等方面。然而，由于工艺误差等无法避免的因素，工艺厂生产出的芯片的某些参数（例如电压、电容、阻抗等）可能具有一定的误差，这些误差会直接影响电路的性能甚至功能。为了解决这类工艺误差问题，在芯片正常使用之前，需要利用修调技术来修正，使电路参数更加精准。但是，目前的修调电路仍然具有诸多缺陷。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种修调电路和存储器。
[0004]本公开的技术方案是这样实现的：第一方面，本公开实施例提供了一种修调电路，所述修调电路包括控制模块和输出模块；所述控制模块包括第一熔丝单元，所述第一熔丝单元的熔断状态指示修调参数的取值，且所述修调参数经由所述输出模块的输出节点进行输出；所述输出模块，配置为在所述输出节点和预设电源端之间形成通路；所述控制模块，配置为接收工作控制信号，在所述工作控制信号处于第一状态时，向所述输出模块输出放电控制信号；其中，若所述第一熔丝单元未经熔断处理，则所述放电控制信号处于第三状态；若所述第一熔丝单元经过熔断处理，则所述放电控制信号处于第四状态；所述输出模块，还配置为接收所述放电控制信号，在所述放电控制信号处于第三状态时，在所述输出节点和地信号端之间形成第一路径；在所述放电控制信号处于第四状态时，在所述输出节点和地信号端之间形成第二路径，且所述第二路径的阻抗大于所述第一路径的阻抗。
[0005]在一些实施例中，所述控制模块，还配置为在所述工作控制信号处于第二状态时，对所述第一熔丝单元进行熔断处理。
[0006]在一些实施例中，所述修调电路具有测试模式和工作模式，且所述测试模式发生于所述工作模式之前；所述控制模块，具体配置为在所述测试模式中，接收处于第一状态或第二状态的所述工作控制信号，并基于所述工作控制信号确定是否对所述第一熔丝单元进行熔断处理，以写入所述修调参数；以及，在所述工作模式中，接收处于第一状态的所述工作控制信号，并基于所述工作控制信号读出所述修调参数。
[0007]在一些实施例中，所述第一熔丝单元的器件类型为反熔丝或激光熔丝。
[0008]在一些实施例中，在所述第一熔丝单元的器件类型为反熔丝的情况下，所述第一熔丝单元包括第一选择晶体管和第一编程晶体管；所述控制模块还包括电流源、转接模块、第一开关管和第二开关管，且所述第二开关管和所述第一开关管的器件类型不同；所述第一开关管的控制端接收所述工作控制信号，所述第一开关管的第一端与所述电流源连接，所述第一开关管的第二端与所述第一选择晶体管的第一端连接，所述第一选择晶体管的控制端接收第一常开信号，所述第一选择晶体管的第二端与所述第一编程晶体管的编程端连接；所述转接模块的第一端接收所述工作控制信号，所述转接模块的第二端与所述第一编程晶体管的控制端连接；所述第二开关管的控制端接收所述工作控制信号，所述第二开关管的第一端与所述第一开关管的第二端连接，所述第二开关管的第二端接收地信号；其中，所述放电控制信号经由所述第一开关管的第二端输出。
[0009]在一些实施例中，所述转接模块，配置为在工作控制信号为第一状态时，向所述第一编程晶体管的控制端提供第一电压信号；在所述工作控制信号为第二状态时，向所述第一编程晶体管的控制端提供第二电压信号；其中，所述第一电压信号的电压值与地信号的电压值相同，所述第二电压信号足以导致所述第一编程晶体管被熔断。
[0010]在一些实施例中，所述输出模块包括第三开关管和第四开关管；所述第三开关管的控制端接收第二常开信号，所述第三开关管的第一端接收第一电源信号；所述第四开关管的控制端与所述第一开关管的第二端连接，所述第四开关管的第二端与接地端连接；所述第三开关管的第二端与所述第四开关管的第一端连接以形成所述输出节点。
[0011]在一些实施例中，所述控制模块还包括第五开关管，且所述第五开关管串联于所述第一开关管的第二端与所述第一选择晶体管的第一端之间；其中，所述第五开关管的控制端接收第三常开信号。
[0012]在一些实施例中，所述第一状态为低电平状态，所述第二状态为高电平状态，所述第三状态为高电平状态，所述第四状态为低电平状态；所述第一开关管、所述第三开关管均为P型场效应管，所述第二常开信号为低电平信号；所述第一选择晶体管、所述第二开关管、所述第四开关管和所述第五开关管均为N型场效应管，所述第三常开信号和所述第一常开信号均为高电平信号。
[0013]在一些实施例中，所述修调电路还包括驱动模块，所述驱动模块包括偶数个串联的反相器，且所述驱动模块的输入端与所述输出节点连接，所述驱动模块的输出端形成所述修调电路的输出端。
[0014]在一些实施例中，所述修调参数用于对目标信号的电压值进行修调；或者，所述修调参数用于对目标信号的电流值进行修调；或者，所述修调参数用于对目标时钟信号的频率进行修调；或者，所述修调参数用于对目标电阻的阻抗进行修调。
[0015]第二方面，本公开实施例提供了一种存储器，所述存储器包括多个如第一方面所
述的修调电路、电压产生电路、熔丝阵列电路和读取电路；每一所述修调电路均包括第一熔丝单元；所述修调电路，配置为在工作状态下，接收处于第一状态的工作控制信号；利用所述工作控制信号对所述第一熔丝单元的熔断状态进行读取，输出一个修调参数；其中，多个所述修调电路各自输出的修调参数共同形成修调码；电压产生电路，与多个所述修调电路连接，配置为基于所述修调码，产生参考电压信号；其中，所述修调码用于调整所述电压产生电路的工作参数以使得所述参考电压信号的电压值为标准值；熔丝阵列电路，包括多个第二熔丝单元，配置为在接收到读指令的情况下，对所述读指令对应的所述第二熔丝单元进行读取，输出中间数据信号；读取电路，与所述电压产生电路和所述熔丝阵列电路连接，配置为接收所述中间数据信号和所述参考电压信号，对所述中间数据信号和所述参考电压信号进行电压比较，输出目标数据信号。
[0016]在一些实施例中，所述修调电路，配置为在测试状态下，根据接收到的工作控制信号，写入所述修调参数；其中，若接收到处于第一状态的所述工作控制信号，则不对所述第一熔丝单元进行熔断处理；若接收到处于第二状态的所述工作控制信号，则对所述第一熔丝单元进行熔断处理；所述修调电路，还配置为在工作状态下，接收处于第一状态的所述工作控制信号，并基于所述工作控制信号读出所述修调参数。
[0017]在一些实施例中，所述第一熔丝单元和所述第二熔丝单元均为反熔丝；或者，所述第一熔丝单元为激光熔丝，所述第二熔丝单元为反熔丝。
[0018]在一些实施例中，所述熔丝阵列电路包括辅助模块和反熔丝阵列，反熔丝阵列包括呈阵列排布的多个所述第二熔丝单元，所述反熔丝阵列中的所有位线和所述辅助模块通过感应节点连接，所述中间数据信号产生于所述感应节点；所述辅助本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种修调电路，其特征在于，所述修调电路包括控制模块和输出模块；所述控制模块包括第一熔丝单元，所述第一熔丝单元的熔断状态指示修调参数的取值，且所述修调参数经由所述输出模块的输出节点进行输出；所述输出模块，配置为在所述输出节点和预设电源端之间形成通路；所述控制模块，配置为接收工作控制信号，在所述工作控制信号处于第一状态时，向所述输出模块输出放电控制信号；其中，若所述第一熔丝单元未经熔断处理，则所述放电控制信号处于第三状态；若所述第一熔丝单元经过熔断处理，则所述放电控制信号处于第四状态；所述输出模块，还配置为接收所述放电控制信号，在所述放电控制信号处于第三状态时，在所述输出节点和地信号端之间形成第一路径；在所述放电控制信号处于第四状态时，在所述输出节点和地信号端之间形成第二路径，且所述第二路径的阻抗大于所述第一路径的阻抗。2.根据权利要求1所述的修调电路，其特征在于，所述控制模块，还配置为在所述工作控制信号处于第二状态时，对所述第一熔丝单元进行熔断处理。3.根据权利要求2所述的修调电路，其特征在于，所述修调电路具有测试模式和工作模式，且所述测试模式发生于所述工作模式之前；所述控制模块，具体配置为在所述测试模式中，接收处于第一状态或第二状态的所述工作控制信号，并基于所述工作控制信号确定是否对所述第一熔丝单元进行熔断处理，以写入所述修调参数；以及，在所述工作模式中，接收处于第一状态的所述工作控制信号，并基于所述工作控制信号读出所述修调参数。4.根据权利要求2所述的修调电路，其特征在于，所述第一熔丝单元的器件类型为反熔丝或激光熔丝。5.根据权利要求4所述的修调电路，其特征在于，在所述第一熔丝单元的器件类型为反熔丝的情况下，所述第一熔丝单元包括第一选择晶体管和第一编程晶体管；所述控制模块还包括电流源、转接模块、第一开关管和第二开关管，且所述第二开关管和所述第一开关管的器件类型不同；所述第一开关管的控制端接收所述工作控制信号，所述第一开关管的第一端与所述电流源连接，所述第一开关管的第二端与所述第一选择晶体管的第一端连接，所述第一选择晶体管的控制端接收第一常开信号，所述第一选择晶体管的第二端与所述第一编程晶体管的编程端连接；所述转接模块的第一端接收所述工作控制信号，所述转接模块的第二端与所述第一编程晶体管的控制端连接；所述第二开关管的控制端接收所述工作控制信号，所述第二开关管的第一端与所述第一开关管的第二端连接，所述第二开关管的第二端接收地信号；其中，所述放电控制信号经由所述第一开关管的第二端输出。6.根据权利要求5所述的修调电路，其特征在于，所述转接模块，配置为在工作控制信号为第一状态时，向所述第一编程晶体管的控制
端提供第一电压信号；在所述工作控制信号为第二状态时，向所述第一编程晶体管的控制端提供第二电压信号；其中，所述第一电压信号的电压值与地信号的电压值相同，所述第二电压信号足以导致所述第一编程晶体管被熔断。7.根据权利要求5所述的修调电路，其特征在于，所述输出模块包括第三开关管和第四开关管；所述第三开关管的控制端接收第二常开信号，所述第三开关管的第一端接收第一电源信号；所述第四开关管的控制端与所述第一开关管的第二端连接，所述第四开关管的第二端与接地端连接；所述第三开关管的第二端与所述第四开关管的第一端连接以形成所述输出节点。8.根据权利要求7所述的修调电路，其特征在于，所述控制模块还包括第五开关管，且所述第五开关管串联于所述第一开关管的第二端与所述第一选择晶体管的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：季汝敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：