超大产能真空镀膜腔及用于异质结技术的真空镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术涉及镀膜设备技术领域，具体涉及一种超大产能真空镀膜腔以及用于异质结技术的真空镀膜设备，超大产能真空镀膜腔具有一内腔，所述内腔上部设有分气组件，所述分气组件至少包括由上至下依次由气孔连通的第一分气板、第二分气板，能够极大地改善腔内气流场均匀性差的问题，凸台状的导热件，减少加热器和硅片的距离，来提高加热效率和温度均匀性，保证了内腔镀膜的工艺效果；同时直线式多工艺腔排布方式，也同步降低了生产节拍，大大增加了设备产能。了设备产能。了设备产能。

【技术实现步骤摘要】
超大产能真空镀膜腔及用于异质结技术的真空镀膜设备


[0001]本技术涉及镀膜设备
，具体涉及一种超大产能真空镀膜腔以及用于异质结技术的真空镀膜设备。

技术介绍

[0002]太阳能电池片，特别是异质结技术电池片生产过程中，真空镀膜设备（PECVD）的产能直接影响着电池片的成本。传统的PECVD，腔内的体积有限，单位时间内能够处理的硅片数量有限，进而影响设备的产能，扩大腔的体积是增大产能的一种方式，随着腔的体积增加，实现单批次可以放置更多的硅片，同时如何解决保证镀膜的工艺效果均是需要解决的问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种超大产能真空镀膜腔以及用于异质结技术的真空镀膜设备。
[0004]实现本技术目的的技术方案是：一种超大产能真空镀膜腔，具有一内腔，所述内腔上部设有分气组件，所述分气组件至少包括由上至下依次由气孔连通的第一分气板、第二分气板。
[0005]上述技术方案中，还包括第三分气板；所述第一分气板设有多个第一气孔，所述第二分气板设有多个第二气孔，所述第三分气板设有多个第三气孔，每个所述第一气孔连通多个所述第二气孔，每个所述第二气孔连通多个所述第三气孔。
[0006]上述技术方案所述内腔置有一载板，所述载板包括载板框架，所述载板框架阵列均布有多个子托盘，所述子托盘可放置多个工件。
[0007]超大产能的真空镀膜腔可理解为腔的面积扩大（此处腔的面积指为腔俯视正投影的面积），工件可以为硅片，硅片装载在子托盘上，子托盘在放置于框架中，对应于大面积的腔内，载板需承载更多的硅片，同时保证载板结果的稳定性。
[0008]子托盘均使用耐高温、低密度、高弹性模量材料，通过设计实现优异的刚性，保证不变形、不热膨胀；多个子托盘放置在框架上，实现硅片在真空镀膜设备的可靠传输。
[0009]上述技术方案所述内腔置有一加热组件，所述加热组件上设有多个导热件，所述导热件位于所述子托盘下方，并一一对应。
[0010]上述技术方案所述内腔侧壁上对称设有传输机构，所述内腔底部设有升降机构，所述加热组件设置在所述升降机构上，所述升降机构用于承接位于所述传输机构上的所述载板。
[0011]上述技术方案所述升降机构承接所述载板时，多个所述导热件分别嵌合于多个所述子托盘下方的载板框架内部，所述子托盘与所述导热件之间具有第一间隙，所述导热件与所述导热件之间具有第二间隙。
[0012]上述技术方案所述第二间隙宽度值比所述载板框架上厚度值多3mm
‑
5mm，多个所
述加热组件的下表面平面度和所述导热件的上表面的平面度均小于等于0.1mm
‑
0.5mm。
[0013]由于导热件位于加热组件上，加热组件设置在升降机构上，升降机构用于承接载板，载板包括载板框架和子托盘，载板框架设有垂直的竖筋，当升降机构逐步承接载板时，载板框架上的垂直的竖筋落在第二间隙内，子托盘位于导热件的上方，且具有第一间隙。
[0014]可选地，载板框架上垂直的竖筋（此处的垂直是指相对于子载板放置的方向）可以是横竖设置，围设成多个方形结构，方向结构对应一个子载板，一个子载板放置多个硅片，进而，导热件相对于加热件而言，呈凸台结构，导热件与导热件周侧均设有第二间隙。凸台结构的导热件，减少加热器和硅片的距离，来提高加热效率和温度均匀性，保证了内腔镀膜的工艺效果。
[0015]上述技术方案所述导热件为铝板，所述导热件与所述加热组件可拆卸连接。
[0016]通过传输机构、升降机构之间的传送，载板与加热器接触，落在加热组件上，导热件位于子托盘下方，导热件用于将加热组件中的热量更多地辐射在硅片上，优选地，子载板为镂空结构，即硅片仅周侧与子托盘接触，实现硅片的快速加热。
[0017]一种用于异质结技术的真空镀膜设备，包括第一预真空腔和第二预真空腔，所述第一预真空腔和所述第二预真空腔之间连接有至少一个所述的真空镀镀膜腔。
[0018]上述技术方案所述预真空腔和所述超大产能真空镀膜腔之间、多个所述超大产能真空镀膜腔之间均连接有大气门阀。
[0019]采用上述技术方案后，本技术具有以下积极的效果：
[0020]（1）本技术超大产能真空镀膜腔的内腔由多个分气板依次进行分气，能够极大地改善腔内气流场均匀性差的问题，保证了内腔镀膜的工艺效果。可以对应于大面积的腔（大面积是指通过扩大腔的底面来实现腔体积的扩大），通过布设多层分气板的方式，使气流逐步扩散，气流均匀的从分气组件散至硅片表面，保证了硅片表面气流场均匀性，进而确保了硅片表面镀膜膜厚均匀性，同时，结构简单，安装方便，避免了在腔上设置多个进气口的方式来实现进气。
[0021]（2）本技术载板框架内设有多个子托盘，单批次可以放置更多的硅片工件，满足大面积镀膜的需求，实现超大产能的生产。
[0022]（3）本技术加热组件设有多个导热件，导热件位于子托盘下方，对子托盘上的硅片工件进行辐射加热，使得热辐射效率大大提高，使硅片工件快速升温到工艺所需的温度同时还能实现优异的温度均匀性，子托盘与导热件之间具有第一间隙，利用小间隙实现实对载板上的硅片高效辐射加热。
[0023]（4）本技术采用直线式多工艺腔排布方式，也同步降低了生产节拍，大大增加了设备产能。
[0024]（5）本技术提供的用于异质结技术的真空镀膜设备，包括至少一个真空镀镀膜腔，其配合预真空腔，来降低节拍时间、提高产能，实现了不需要多个预热腔长时间预热的效果；在优异的温度均匀性和优异气流场分布均匀性状态下，实现了良好的成膜质量，保证了优异的电池片性能。
附图说明
[0025]图1为本技术部分实施例中的真空镀膜设备的俯视结构示意图；
[0026]图2为本技术部分实施例中的真空镀膜设备的主视结构示意图；
[0027]图3为本技术部分实施例中的真空镀膜设备的主视结构示意图；
[0028]图4为本技术部分实施例中的真空镀膜设备的主视结构示意图；
[0029]图5为本技术部分实施例中的真空镀膜设备的主视结构示意图；
[0030]图6为本实用新部分实施例中的载板的主视图；
[0031]图7为图6的俯视图；
[0032]图8为本技术部分实施例中的加热器组件的主视图；
[0033]图9为图8的俯视图；
[0034]图10为本技术部分实施例中的分气组件的主视图；
[0035]图11为本技术部分实施例中的第一分气板的示意图；
[0036]图12为本技术部分实施例中的第二分气板的示意图；
[0037]图13为本技术部分实施例中的第三分气板的示意图。
[0038]图中：内腔2、分气组件7、第一分气板71、第二分气板72、第三分气板73、第一气孔711、第二气孔721、第三气孔731、载板3、载板框架31、子托盘3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超大产能真空镀膜腔，其特征在于：具有一内腔(2)，所述内腔(2)上部设有分气组件(7)，所述分气组件(7)至少包括由上至下依次由气孔连通的第一分气板(71)、第二分气板(72)。2.根据权利要求1所述的一种超大产能真空镀膜腔，其特征在于：还包括第三分气板(73)；所述第一分气板(71)设有多个第一气孔(711)，所述第二分气板(72)设有多个第二气孔(721)，所述第三分气板(73)设有多个第三气孔(731)，每个所述第一气孔(711)连通多个所述第二气孔(721)，每个所述第二气孔(721)连通多个所述第三气孔(731)。3.根据权利要求1所述的一种超大产能真空镀膜腔，其特征在于：所述内腔(2)置有一载板(3)，所述载板(3)包括载板框架(31)，所述载板框架(31)阵列均布有多个子托盘(32)，所述子托盘(32)可放置多个工件。4.根据权利要求3所述的一种超大产能真空镀膜腔，其特征在于：所述内腔(2)置有一加热组件(61)，所述加热组件(61)上设有多个导热件(62)，所述导热件(62)位于所述子托盘(32)下方，并一一对应。5.根据权利要求4所述的一种超大产能真空镀膜腔，其特征在于：所述内腔(2)侧壁上对称设有传输机构(5)，所述内腔(2)底部设有升降机构(8)，所述加热组件(61)设置在所述升降机构(8)上，所述升降机构(8)用于承接位...

【专利技术属性】
技术研发人员：左国军，朱海剑，
申请(专利权)人：常州捷佳创精密机械有限公司，
类型：新型
国别省市：