单根Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器阵列及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种单根Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器阵列及其制备方法，所述光电探测器阵列包括衬底，衬底上从下到上依次设置有Sn掺杂Ga2O3微米线，衬底上从左到右依次间隔设置多个光电探测单元，相邻光电探测单元之间的Sn掺杂Ga2O3微米线采用激光处理。本发明专利技术解决了光电探测器线阵成像的串扰问题，实现了高集成度的光电探测器阵列成像。度的光电探测器阵列成像。度的光电探测器阵列成像。

【技术实现步骤摘要】
单根Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器阵列及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电探测器
，特别是指一种单根Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器阵列及其制备方法。

技术介绍

[0002]200
‑
280nm波段的太阳辐射被大气层吸收和散射不能到达地球表面，被称为日盲波段。工作于日盲波段的探测器可以避免太阳光的干扰，具有很高的信噪比和很低的虚警率。日盲紫外成像和位置探测在深空探测、导弹预警、保密空间通信等方面有广泛应用。
[0003]氧化镓作为一种超宽带隙半导体，带隙为4.2
‑
5.3eV，响应光谱覆盖大部分日盲波段，具有本征的日盲选择性。这为氧化镓器件的日盲成像技术奠定了基础。MSM结构由于制作简单、成本较低且易于集成被广泛关注。
[0004]虽然有关于氧化镓光电探测器阵列的报道，但是在高集成度条件下器件会产生串扰从而干扰器件的成像，即被测单元处于暗态，周围单元被光照时，被测单元表现出接近光照下的电流。串扰问题是探测器在高集成度架构下面临的重要挑战之一。目前解决氧化镓光电探测器串扰主要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.单根Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器阵列，包括衬底，其特征在于：衬底上设置有Sn掺杂Ga2O3微米线，Sn掺杂Ga2O3微米线上从左向右间隔设置有多个光电探测单元，相邻光电探测单元之间的Sn掺杂Ga2O3微米线采用激光处理。2.根据权利要求1所述的单根Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器阵列，其特征在于：所述光电探测单元由相邻的两个金属电极组成，金属电极设置于Sn掺杂Ga2O3微米线上。3.根据权利要求2所述的单根Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器阵列，其特征在于：金属电极包括40～80纳米的Ti层，Ti层的上侧设有50～100纳米的Au层。4.根据权利要求1
‑
3之一所述的单根Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器阵列，其特征在于：Sn掺杂Ga2O3微米线微米线长度为2～6mm，直径为8～20μm。5.单根Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将Sn掺杂Ga2O3微米线转移到衬底上，衬底为蓝宝石衬底；(2)将步骤(1)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨珣，张重阳，单崇新，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：