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本发明提出了一种单根Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器阵列及其制备方法，所述光电探测器阵列包括衬底，衬底上从下到上依次设置有Sn掺杂Ga2O3微米线，衬底上从左到右依次间隔设置多个光电探测单元，相邻光电探测单元之间的Sn掺杂Ga2O3微米线...
该专利属于郑州大学所有，仅供学习研究参考，未经过郑州大学授权不得商用。

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