电镀铜的方法技术

本发明专利技术提供一种电镀铜的方法，方法包括：步骤1)提供待电镀的晶圆，并将其置入电镀液内，其中，晶圆具有不同尺寸的通孔及沟槽，且晶圆的表面形成有第一铜籽晶层；步骤2)将短时脉冲电流通过电镀液以使得第一铜籽晶层的表面形成第二铜籽晶层，且短时脉冲电流大于10A；步骤3)对晶圆施加第一电镀电流以使得第二铜籽晶层的表面形成铜填充层以实现对通孔及沟槽的填充，且第一电镀电流小于10A，其作用时间大于短时脉冲电流的作用时间；步骤4)对所述晶圆施加第二电镀电流以使得铜填充层的表面形成铜层，且第二电镀电流大于20A。通过本发明专利技术解决了以现有的电镀铜方法对不同尺寸的通孔及沟槽进行填充时易产生空洞的问题。槽进行填充时易产生空洞的问题。槽进行填充时易产生空洞的问题。

【技术实现步骤摘要】
电镀铜的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种电镀铜的方法。

技术介绍

[0002]目前，55nm平台普遍采用铜互连工艺。双大马士革结构的铜填充过程，需要同时填充通孔(via)及沟槽(trench)，而在晶圆具有不同尺寸的通孔及沟槽的情况下，各通孔及沟槽的填充难度及填充要求也各不相同。现阶段通常是按照传统的三步法(中档电镀电流6A～10A快速填充；小电镀电流4A～6A填充大尺寸；大于30A的大电镀电流生长大尺寸的铜PAD)进行电镀来对沟槽及通孔进行填充，但是，利用三步法对top CD小于130nm的特殊结构进行填充时，ECP(电化学镀膜)存在填充能力不足的问题，从而会造成填充过程中产生空洞；而利用三步法对具有平台结构的大尺寸结构进行填充时，会由于大尺寸结构的拐角处电流密度高，导致铜的生长速度快，而过快的生长速度会造成Cu没有充分生长，从而造成填充过程中产生空洞(如图1所示)。而空洞的存在会影响晶圆可接受测试(WAT)及器件的可靠性，从而也就无法满足器件制造的要求。若改变三步法中电镀电流的大小，采用更小的电镀电流对填充要求本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电镀铜的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1)提供待电镀的晶圆，并将其置入电镀液内，其中，所述晶圆具有不同尺寸的通孔及沟槽，且所述晶圆的表面形成有第一铜籽晶层；步骤2)将短时脉冲电流通过所述电镀液以使得所述第一铜籽晶层的表面形成第二铜籽晶层，且所述短时脉冲电流大于10A；步骤3)对所述晶圆施加第一电镀电流以使得所述第二铜籽晶层的表面形成铜填充层以实现对所述通孔及所述沟槽的填充，且所述第一电镀电流小于10A，其作用时间大于所述短时脉冲电流的作用时间；步骤4)对所述晶圆施加第二电镀电流以使得所述铜填充层的表面形成铜层，且所述第二电镀电流大于20A。2.根据权利要求1所述的电镀铜的方法，其特征在于，所述短时脉冲电...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢中豪，林建树，杨淋淋，冯秦旭，梁金娥，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：