【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电镀钴、镍及其合金
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
技术介绍
[0002]钨有时用于针对如穿硅通孔(TSV)及设备触点的各种不同集成电路结构而形成互连件。钨互连件时常由化学气相沉积或原子层沉积进行沉积。
[0003]在此包含的背景及上下文的描述仅针对整体呈现公开内容的上下文的目的而提供。本公开内容的许多呈现专利技术人的成果，且单纯由于如此成果在
技术介绍
部分中描述或在本文其他位置呈现为上下文并不表示将认为是现有技术。
技术实现思路
[0004]本公开的某些方面属于在电子设备中形成互连件的方法。如此的方法可通过以下操作表征：(a)将包含部分或完全制造的集成电路的衬底与具有约2至约5的pH值和镍和/或钴离子的水性电镀溶液接触，以及(b)对通向该衬底的电流和/或电压进行控制，从而通过由下而上填充机制，将来自该电镀溶液的镍和/或钴电镀进入特征内。在某些实施方案中，该水...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在电子设备中形成互连件的方法，所述方法包含：(a)将包含部分或完全制造的集成电路的衬底与pH值为约2至约5的水性电镀溶液接触，且所述水性电镀溶液包含：(i)浓度为约20至约80g/L的镍离子和/或浓度为约10至约40g/L的钴离子；以及(ii)抑制剂，其中所述衬底包含直径为约0.005
‑
6微米且特征深度为约0.05
‑
10微米的特征；以及(iii)控制通往所述衬底的电流和/或电压，从而通过由下而上填充机制，将来自所述电镀溶液的镍和/或钴电镀进入所述特征内。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征具有约1000nm至约2000nm的深度以及约50nm至约150nm的开口直径或宽度。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征是微TSV特征。4.根据权利要求2所述的方法，其中将镍和/或钴电镀进入所述一个或更多个特征内导致在所述衬底的第一侧上的第一电子设备与所述衬底的第二侧上的第二电子设备之间产生一个或更多个互连件。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征具有约50nm至约500nm的深度，以及约5nm至约20nm的开口直径或宽度。6.根据权利要求1所述的方法，其中将镍和/或钴电镀进入所述一个或更多个特征内产生直接到达所述衬底上的第一电子设备的一个或更多个电触点。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述一个或更多个电触点接触一个或更多个3D NAND设备。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述水性电镀溶液不包含促进剂或平整剂。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述水性电镀溶液还包含促进剂和/或平整剂。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述水性电镀溶液还包含硼酸。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述水性电镀溶液还包含不同于钴或镍的金属离子，并且其中控制通往所述衬底的所述电流和/或电压将来自所述电镀溶液的镍合金或钴合金电镀至所述特征内。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述不同于钴或镍的金属选择自由Cu、Ag、Au、Mn、Fe、Cr、Ru、Mo、Ir、Re、Pd、W、Mo和Pt组成的群组。13.根据权利要求11所述的方法，其中所述不同于钴或镍的金属是W或Mo。14.根据权利要求1所述的方法，其中所述水性电镀溶液还包含浓度为约0.1至约30g/L的Mo离子和/或W离子。15.根据权利要求11所述的方法，其中所述水性电镀溶液还包含络合剂，所述络合剂使镍离子、钴离子、或所述不同于钴或镍的金属离子络合。16.根据权利要求1所述的方法，其中控制通往所述衬底的电流和/或电压包括：在电镀来自所述电镀溶液的镍和/或钴时的时段期间增加所述电流。17.根据权利要求16所述的方法，其中增加所述电流包含：使所述电流渐变。18.根据权利要求1所述的方法，其还包含：在电镀镍和/或钴之前，使用等离子体预处理所述衬底，以还原在所述一个或更多个特征中的导电层上的金属氧化物。19.根据权利要求1所述的方法，其还包含：在电镀镍和/或钴之前，在减少的压力下，使
用润湿所述特征的润湿溶液预润湿所述衬底。20.根据权利要求1所述的方法，其还包含：在电镀镍和/或钴之后，对所述衬底进行退火。21.根据权利要求1所述的方法，其中所述抑制剂选自于由醚、酯、二醇、噻唑、吡啶、聚合化合物、及其任何组合所组成的群组。22.根据权利要求1所述的方法，其中所述水性电镀溶...
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