一种可提高抗单粒子性能的内嵌NPN碳化硅肖特基二极管结构制造技术

本发明专利技术公开一种可提高抗单粒子性能的内嵌NPN碳化硅肖特基二极管结构，阴极金属上设置有SiC N+衬底，N

【技术实现步骤摘要】
一种可提高抗单粒子性能的内嵌NPN碳化硅肖特基二极管结构


[0001]本专利技术属于半导体分立器件
，具体涉及一种可提高抗单粒子性能的内嵌NPN碳化硅肖特基二极管结构。

技术介绍

[0002]第三代半导体碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、耐高温、热导率高、饱和电子漂移速度快等诸多优点，特别适合制作高压功率器件。SiC功率器件具有击穿电压高、寄生电容小、开关速度快、无反向恢复以及更好的热稳定性等优点，利用SiC功率器件替代Si功率器件可以有效简化电路结构、提高效率、降低重量，缩小体积，在军用方面特别是航天领域，具有迫切的应用需求，如新一代长寿命卫星、空间站太阳能电池电源和配电系统，新型火箭的电力推进系统和高功率密度电源。
[0003]SiC功率器件优良的性能虽然非常适合军用航天领域高压、高频、高效、高温和大功率的应用需求，但抗辐射性能差一直是阻碍SiC功率器件在军用航天抗辐照领域获得广泛应用的技术瓶颈。SiC肖特基二极管单粒子辐照下阻断电压约在200V左右，远不能满足高耐压的应用需求，因此，亟需对SiC肖特基二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可提高抗单粒子性能的内嵌NPN碳化硅肖特基二极管结构，其特征在于，包括阳极金属(5)、阴极金属(1)和N
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外延层(4)，阴极金属(1)上设置有SiC N+衬底(2)，所述N
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外延层(4)一侧与SiC N+衬底(2)之间设置有N型缓冲层(3)，N
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外延层(4)另一侧与阳极金属(5)之间设置有PWell，PWell内设置有P+，P+的两侧均连接有N+，N+、PWell和N
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外延层之间形成NPN结构。2.根据权利要求1所述的一种可提高抗单粒子性能的内嵌NPN碳化硅肖特基二极管结构，其特征在于，所述N
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外延层(4)的浓度低于N型缓冲层(3)的浓度。3.根据权利要求1所述的一种可提高抗单粒子性能的内嵌NPN碳化硅肖特基二极管结构，其特征在于，所述N型缓冲层(3)包括第一N型缓冲层、第二N型缓冲层和第三N型缓冲层，第三N型缓冲层与N
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外延层(4)接触，第一N型缓冲层与SiC N+衬底(2)接触。4.根据权利要求3所述的一种可提高抗单粒子性能的内嵌NPN碳化硅肖特基二极管结构，其特征在于，所述三层N型缓冲层的浓度由第一N...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鹏刚，唐磊，王忠芳，王晨霞，刘建军，胡长青，杨晓文，鲁红玲，侯斌，李照，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
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