导电构件之间的屏蔽构造制造技术

一种导电构件之间的屏蔽构造，是在一分布于绝缘座体的相邻两导电构件间，置入一金属屏蔽体，以隔开两相邻的导电构件，借此以遮阻两相邻导电构件间的电磁干扰，以维持导电的稳定；其中绝缘座体，是设有多个承接穴，以分别跨接一导电构件。本实用新型专利技术是在一分布于绝缘座体的相邻两导电构件间，置入一金属屏蔽体，以隔开两相邻的导电构件，借此以屏蔽两相邻导电构件间的电磁干扰，维持导电的稳定。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种导电构件之间的屏蔽构造，其特征在于，是在一分布于绝缘座体的相邻两导电构件间，置入一金属屏蔽体，以隔开两相邻的导电构件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄钦雄，刘允昱，黄明卿，郑家茂，
申请(专利权)人：建舜电子制造股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]