用于清洗碎屑的装置、方法及硅片倒角设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种用于清洗碎屑的装置、方法及硅片倒角设备，所述装置包括：喷射单元，所述喷射单元用于将清洗液喷射至所述硅片以及磨削所述硅片以对所述硅片进行倒角的研磨件，以将粘附在所述硅片以及所述研磨件上的碎屑清除；超声波发生器，所述超声波发生器用于产生作用于所述喷射单元喷射出的清洗液的超声波，以通过使所述清洗液携带所述超声波的能量来提高所述清洗液清除所述碎屑的能力。的能量来提高所述清洗液清除所述碎屑的能力。的能量来提高所述清洗液清除所述碎屑的能力。

【技术实现步骤摘要】
用于清洗碎屑的装置、方法及硅片倒角设备


[0001]本专利技术涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种用于清洗碎屑的装置、方法及硅片倒角设备。

技术介绍

[0002]硅晶棒经过外周滚磨、V形槽研磨、多线切割、脱胶清洗、双面研磨等加工工艺制成硅片后，边缘往往有崩边、棱角、毛刺、裂纹、缺口或其他内缺陷，然而，硅片边缘表面粗糙、应力集中的问题极容易导致硅片破碎，使得硅片边缘部分利用率低。所以为了提高边缘使用率，增强硅片的边缘机械强度、便于芯片切割，减少边缘颗粒粘污，需要对硅片进行边缘倒角加工。
[0003]在硅片倒角过程中，研磨件对硅片的磨削会产生大量的碎屑，这些碎屑如果不能及时得到清除，会导致磨削效果以及效率降低。因此，在硅片倒角过程中，将碎屑及时清除是至关重要的。
[0004]目前，对于上述碎屑的清除而言，主要通过将清洗液喷射至硅片以及研磨件来完成。但是，这样的清除方式的清除效果不佳，碎屑仍然会残留在硅片以及研磨件上，无法得到彻底的清除，因此仍然会对倒角过程中的磨削效果和效率带来不利影响。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题，本专利技术实施例期望提供一种用于清洗碎屑的装置、方法及硅片倒角设备，能够提供对于碎屑的清除效果，尽可能地避免碎屑残留在硅片以及研磨件上，提高倒角过程中的磨削效果和效率。
[0006]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0007]第一方面，本专利技术实施例提供了一种用于对硅片倒角过程中产生的碎屑进行清洗的装置，所述装置包括：
[0008]喷射单元，所述喷射单元用于将清洗液喷射至所述硅片以及磨削所述硅片以对所述硅片进行倒角的研磨件，以将粘附在所述硅片以及所述研磨件上的碎屑清除；
[0009]超声波发生器，所述超声波发生器用于产生作用于所述喷射单元喷射出的清洗液的超声波，以通过使所述清洗液携带所述超声波的能量来提高所述清洗液清除所述碎屑的能力。
[0010]第二方面，本专利技术实施例提供了一种用于对硅片倒角过程中产生的碎屑进行清洗的方法，所述方法包括：
[0011]将清洗液喷射至所述硅片以及磨削所述硅片以对所述硅片进行倒角的研磨件，以将粘附在所述硅片以及所述研磨件上的碎屑清除；
[0012]产生作用于喷射出的清洗液的超声波，以通过使所述清洗液携带所述超声波的能量来提高所述清洗液清除所述碎屑的能力。
[0013]第三方面，本专利技术实施例提供了一种对硅片进行倒角的设备，所述设备包括根据
第一方面所述的装置。
[0014]本专利技术实施例提供了用于清洗碎屑的装置、方法及硅片倒角设备，由于超声波将能量赋予了清洗液，因此使得赋能的清洗液能够更大程度地防止碎屑残留在硅片和研磨件上，从而使磨削的效果更好，效率更高，避免对磨削带来不利影响。
附图说明
[0015]图1为根据本专利技术的实施例的用于对硅片倒角过程中产生的碎屑进行清洗的装置的示意图；
[0016]图2为根据本专利技术的实施例的用于对硅片倒角过程中产生的碎屑进行清洗的装置的喷射单元的示意图；
[0017]图3为根据本专利技术的实施例的用于对硅片倒角过程中产生的碎屑进行清洗的方法的示意图；
[0018]图4为根据本专利技术的实施例的用于对硅片进行倒角的设备的示意图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0020]参见图1，本专利技术实施例提供了一种用于对硅片倒角过程中产生的碎屑DE进行清洗的装置10，所述装置10可以包括：
[0021]喷射单元100，所述喷射单元100用于将清洗液CL喷射至所述硅片W以及磨削所述硅片W以对所述硅片W进行倒角的研磨件20，以将粘附在所述硅片W以及所述研磨件20上的碎屑DE清除，如在图1中具体地示出的，硅片W的磨削可以通过使硅片W绕自身的中心轴线WX相对于研磨件20旋转实现；
[0022]超声波发生器200，所述超声波发生器200用于产生作用于所述喷射单元100喷射出的清洗液CL的超声波UW，以通过使所述清洗液CL携带所述超声波UW的能量来提高所述清洗液CL清除所述碎屑DE的能力。
[0023]在利用根据本专利技术实施例的装置10对碎屑DE进行清洗的情况下，由于超声波UW将能量赋予了清洗液CL，因此使得赋能的清洗液CL能够更大程度地防止碎屑DE残留在硅片W和研磨件20上，从而使磨削的效果更好，效率更高，避免对磨削带来不利影响。
[0024]对于上述的喷射单元100而言，在本专利技术的优选实施例中，参见图2，所述喷射单元100可以包括：
[0025]容器110，所述容器110用于容纳所述清洗液CL；
[0026]加压器120，所述加压器120用于对容纳在所述容器110中的清洗液CL进行加压；
[0027]喷嘴130，所述喷嘴用于将加压的清洗液CL喷射出。
[0028]图2中具体地示出了喷嘴130与容器110流体连通，因此加压的清洗液CL在离开容器110后直接经由喷嘴130喷射出，但本专利技术不限于此，比如可以利用附图中未示出的管道将喷嘴130与容器110连通。另外图2中具体地示出了容器110为缸体而加压器120为与缸体配匹的活塞由此实现对清洗液CL的加压，但本专利技术不限于此，而是可以通过任何液体加压方式实现加压。
[0029]对于在硅片倒角过程中产生的碎屑DE而言，参见图1可以理解的是，碎屑DE会集中聚集在硅片W与研磨件20彼此接触的位置处，在这种情况下，为了使清洗液CL能够更加有效地将碎屑DE清除，在本专利技术的优选实施方式中，参见图2并结合图1，所述喷嘴130可以构造成将所述清洗液CL以液柱LP的方式喷射出，液柱LP的作用面积较小但冲击力较大，因此能够对聚集的碎屑DE产生更好的清除作用。
[0030]对于粘附在硅片W上的碎屑DE而言，对倒角过程或者说对磨削处理产生影响的主要是位于硅片W的即将接受倒角的部位处的碎屑DE，这样的碎屑DE随后会挤入在硅片W与研磨件20之间从而对磨削产生影响。对此，在本专利技术的优选实施例中，所述喷嘴130可以将清洗液CL喷射在所述硅片W的即将接受倒角的部位处，这样，确保了硅片W接受磨削的部位是清洁的，由此提高了磨削的效果和效率。
[0031]参见图3并结合图1，本专利技术实施例还提供了一种用于对硅片倒角过程中产生的碎屑DE进行清洗的方法，所述方法可以包括：
[0032]S301：将清洗液CL喷射至所述硅片W以及磨削所述硅片W以对所述硅片W进行倒角的研磨件20，以将粘附在所述硅片W以及所述研磨件20上的碎屑DE清除；
[0033]S302：产生作用于喷射出的清洗液CL的超声波UW，以通过使所述清洗液CL携带所述超声波UW的能量来提高所述清洗液CL清除所述碎屑DE的能力。
[0034]参见图4，本专利技术实施例还提供了一种用于对硅片W进行倒角的设备1，所述设备1可以包括根据本专利技术各实施例所述的装置10。
[0035]在本专利技术的优选实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于对硅片倒角过程中产生的碎屑进行清洗的装置，其特征在于，所述装置包括：喷射单元，所述喷射单元用于将清洗液喷射至所述硅片以及磨削所述硅片以对所述硅片进行倒角的研磨件，以将粘附在所述硅片以及所述研磨件上的碎屑清除；超声波发生器，所述超声波发生器用于产生作用于所述喷射单元喷射出的清洗液的超声波，以通过使所述清洗液携带所述超声波的能量来提高所述清洗液清除所述碎屑的能力。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述喷射单元包括：容器，所述容器用于容纳所述清洗液；加压器，所述加压器用于对容纳在所述容器中的清洗液进行加压；喷嘴，所述喷嘴用于将加压的清洗液喷射出。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述喷嘴构造成将所述清洗液以液柱的方式喷射出。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述喷嘴将清洗液喷射在所述硅片的即将接受倒角的部位处。5.一种用于对硅片倒角过程中产生的碎屑进行清洗的方法，其特征在于，所述方法包括：将清洗液喷射至所述硅片以及磨削所述硅片以对所述硅片进行倒角的研磨件，以将粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔元九，陈光林，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：