PLC晶圆上包层厚膜生长工艺制造技术

本发明专利技术提出了一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，用以解决现有工艺生长的上包层厚度偏薄，不能满足实际性能需要的技术问题。本发明专利技术提出一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，要求上包层连续进行至少四次生长和退火，上包层厚度满足要达到32μm以上的要求，且增加退火步骤和退火时间，与生长过程中调整掺杂硼烷和磷烷两种气体的流量的手段共同达到减小BOW值的目的，使得BOW值小于250μm；在不使用盖板对芯片进行保护的情况下，PLC晶圆的上包层对保护波导不受外力和杂质侵蚀的能力满足要求，在切割磨抛过程中保护芯层波导，减少因为崩口等原因引起良率的损失，且上包层厚度增加，使截面积变大，在后段的封装过程中，能够提高芯片与光纤阵列连接的效率。纤阵列连接的效率。纤阵列连接的效率。

【技术实现步骤摘要】
PLC晶圆上包层厚膜生长工艺


[0001]本专利技术涉及PLC晶圆的
，尤其涉及一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺。

技术介绍

[0002]如图1所示，一般PLC晶圆生长工艺步骤如下：1）石英衬底片上生长芯层，2）生长硬掩模多晶硅，3）PR涂光刻胶，4）PR图形转移，5）硬掩膜刻蚀，6）去除光刻胶，7）芯区刻蚀，8）去硬掩膜，9）覆盖上包层。
[0003]在步骤9）中上包层使用等离子体增强化学的气相沉积法（PECVD）生长BPSG（硼磷硅玻璃）的方法制作，是一层掺有磷P和硼B的氧化硅层，化学反应式为：SiH4+2N2O=SiO2+2H2+2N2；2PH3+5N2O=P2O5+3H2+5N2；B2H6+3N2O=B2O3+3H2+3N2。
[0004]上包层完成后会有一次退火工艺，使膜层更加致密，消除不必要的杂质。PECVD是在化学气相沉积中激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而在衬底上进行半导体薄膜材料的制备。对比火焰水解法（FHD）具有生长精度高，一次成型，工艺稳定等优势。为了满足晶圆性能良率要求，上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，其特征在于，连续进行至少四次生长和退火，生成厚度为32~40μm的上包层。2.根据权利要求1所述的PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，其特征在于，所述生长和退火连续进行的次数为四次。3.根据权利要求2所述的PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，其特征在于，所述生长采用等离子体气相沉积法生成上包层；每次生长得到厚度为8~10μm的上包层。4.根据权利要求2或3所述的PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，其特征在于，每次生长得到上包层的厚度为10μm。5.根据权利要求4所述的PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，其特征在于，在第一次生长和第二次生长中气体配比为硼烷：磷烷=（2~4）：（4~6）；在第三次生长和第四次生长中气体配比为硼烷：磷烷=（4~5）：（5~7）。6.根据权利要求5所述的PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，其特征在于，所述第一次生长和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：高志豪，胡炎彰，耿金帅，孙健，杨建周，苏晓华，
申请(专利权)人：河南仕佳光子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：