一种针对湿法去胶后的晶圆的处理方法技术

本发明专利技术提供一种针对湿法去胶后的晶圆的处理方法。方法，包括：通过利用第一腐蚀溶液对镀镍晶圆的种子层进行第一清洗操作，其中，第一腐蚀溶液的溶质与种子层的材料具有对应关系；利用第二腐蚀溶液对清洗后的种子层进行第二清洗操作，以获得第一清洗层，其中，清洗后的种子层中包括镍的氧化物，第二腐蚀溶液是弱酸溶液，实现了利用第一腐蚀溶液、第二腐蚀溶液对金属种子层进行去除，使得经湿法去光胶后的镀镍晶圆可经过后处理满足植球工艺的需求，进而提高了植球成功率以及植球强度。而提高了植球成功率以及植球强度。而提高了植球成功率以及植球强度。

【技术实现步骤摘要】
一种针对湿法去胶后的晶圆的处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种针对湿法去胶后的晶圆的处理方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，在UBM层电镀后通过湿法去除光胶的方式并不多见，由于湿法去胶具有高WPH特点，在晶圆级封装时可以大幅提升生产效率。当使用湿法去胶时，高温NMP去胶溶液会使电镀镍发生致密氧化，从而影响后续植球过程中金属互化物(intermetallic compounds，IMC)的形成，最终导致植球失败。
[0003]由此，亟需一种新的技术方案以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0005]第一方面，本专利技术提出一种针对湿法去胶后的晶圆的处理方法，其中，晶圆是镀镍晶圆，方法包括：利用第一腐蚀溶液对镀镍晶圆的种子层进行第一清洗操作，其中，第一腐蚀溶液的溶质与种子层的材料具有对应关系；利用第二腐蚀溶液对清洗后的种子层进行第二清洗操作，以获得第一清洗层，其中，清洗后的种子层中包括镍的氧化物，第二腐蚀溶液是弱酸溶液。
[0006]可选地，其中，种子层包括铜，第一腐蚀溶液和第二腐蚀溶液是铜腐蚀溶液。
[0007]可选地，其中，铜腐蚀溶液中包括：9％的磷酸、4％的双氧水、0.1％的盐酸、2％的乙酸。
[0008]可选地，在利用第二腐蚀溶液对清洗后的种子层进行第二清洗操作，以获得第一清洗层之后，方法还包括：利用第一溶液对第一清洗层进行第三清洗操作，以获得第二清洗层。
[0009]可选地，其中，第一溶液是去离子水。
[0010]可选地，其中，第一清洗操作的执行时间是10秒钟，第二清洗操作的时间是170秒钟。
[0011]可选地，在利用第二腐蚀溶液对清洗后的种子层进行第二清洗操作，以获得第一清洗层之后，方法还包括：利用还原性气体对第一清洗层进行第一离子轰击清洗操作，以获得第三清洗层；利用惰性气体对第二清洗层进行第二离子轰击清洗操作，以获得第四清洗层。
[0012]可选地，其中，还原性气体是氢气，惰性气体是氩气。
[0013]可选地，其中，第一离子轰击清洗操作的执行时间是10秒钟，第二离子轰击操作的执行时间是30秒钟。
[0014]可选地，方法还包括：基于第四清洗层，执行植球工艺操作。
[0015]根据上述技术方案，通过利用第一腐蚀溶液对镀镍晶圆的种子层进行第一清洗操作，其中，第一腐蚀溶液的溶质与种子层的材料具有对应关系；利用第二腐蚀溶液对清洗后的种子层进行第二清洗操作，以获得第一清洗层，其中，清洗后的种子层中包括镍的氧化物，第二腐蚀溶液是弱酸溶液，实现了利用第一腐蚀溶液、第二腐蚀溶液对金属种子层进行去除，使得经湿法去光胶后的镀镍晶圆可经过后处理满足植球工艺的需求，进而提高了植球成功率以及植球强度。
[0016]本专利技术的针对湿法去胶后的晶圆的处理方法，本专利技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本专利技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
[0017]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本说明书的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0018]图1示出了根据本专利技术一个实施例的针对湿法去胶后的晶圆的处理方法的示意性流程图；
[0019]图2示出了根据本专利技术另一个实施例的针对湿法去胶后的晶圆的处理方法的示意性流程图；
[0020]图3示出了根据本专利技术一个实施例的电镀后不同处理方法进行植球推力测试的对比示意图；
[0021]图4示出了根据本专利技术一个实施例的晶圆处理方法的示意性流程图。
具体实施方式
[0022]本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0023]本专利技术提出一种针对湿法去胶后的晶圆的处理方法。图1示出了根据本专利技术一个实施例的针对湿法去胶后的晶圆的处理方法100的示意性流程图。其中，晶圆是在UBM开口处镀镍晶圆，方法100包括：
[0024]S110,利用第一腐蚀溶液对镀镍晶圆的种子层进行第一清洗操作，其中，第一腐蚀溶液的溶质与种子层的材料具有对应关系。
[0025]可以理解，种子层中可以包含大量金属，对应地，第一腐蚀溶液的溶质可以溶解种
子层所包含的金属。换言之，第一腐蚀溶液可以是能够溶解种子层包含的金属的酸性溶液。在此不对第一腐蚀溶液的溶质进行具体限制，溶质的具体内容可以根据种子层实际的材料基于上述对应关系进行任意合理设置。
[0026]S120,利用第二腐蚀溶液对清洗后的种子层进行第二清洗操作，以获得第一清洗层，其中，清洗后的种子层中包括镍的氧化物，第二腐蚀溶液是弱酸溶液。
[0027]具体地，第二腐蚀溶液可以是稀盐酸、有机酸及其混合物等，在此不做限定。在一个具体实施例中，为了便于操作，第二腐蚀溶液的溶质可以与第一腐蚀溶液的溶质相同。第一清洗操作以及第二清洗操作的清洗操作总时长，具体地，以不损害电镀层为前提，根据操作人员的实际经验自行选择。优选地，第一清洗操作以及第二清洗操作的清洗操作总时长可以为3分钟，此种情况下，第一清洗操作以及第二清洗操作刚好可在不损伤重布线层(RDL层)的情况下，完成对种子层的去除。
[0028]本申请提出的一种针对湿法去胶后的晶圆的处理方法，通过利用第一腐蚀溶液对镀镍晶圆的种子层进行第一清洗操作，其中，第一腐蚀溶液的溶质与种子层的材料具有对应关系；利用第二腐蚀溶液对清洗后的种子层进行第二清洗操作，以获得第一清洗层，其中，清洗后的种子层中包括镍的氧化物，第二腐蚀溶液是弱酸溶液，实现了利用第一腐蚀溶液、第二腐蚀溶液对金属种子层进行去除，使得经湿法去光胶后的镀镍晶圆可经过后处理满足植球工艺的需求，进而提高了植球成功率以及植球强度，即结合力，100μm Sn
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3.5Ag标准为25g推力，使用本申请所述方法可将结合力提升至50g左右。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种针对湿法去胶后的晶圆的处理方法，其特征在于，其中，所述晶圆是镀镍晶圆，所述方法包括：利用第一腐蚀溶液对所述镀镍晶圆的种子层进行第一清洗操作，其中，所述第一腐蚀溶液的溶质与所述种子层的材料具有对应关系；利用第二腐蚀溶液对清洗后的种子层进行第二清洗操作，以获得第一清洗层，其中，所述清洗后的种子层中包括镍的氧化物，所述第二腐蚀溶液是弱酸溶液。2.如权利要求1所述的针对湿法去胶后的晶圆的处理方法，其特征在于，其中，所述种子层包括铜，所述第一腐蚀溶液和所述第二腐蚀溶液是铜腐蚀溶液。3.如权利要求2所述的针对湿法去胶后的晶圆的处理方法，其特征在于，其中，所述铜腐蚀溶液中包括：9％的磷酸、4％的双氧水、0.1％的盐酸、2％的乙酸。4.如权利要求1至3任一项所述的针对湿法去胶后的晶圆的处理方法，其特征在于，在所述利用第二腐蚀溶液对清洗后的种子层进行第二清洗操作，以获得第一清洗层之后，所述方法还包括：利用第一溶液对所述第一清洗层进行第三清洗操作，以获得第二清洗层。5.如权利要求4所述的针对湿法去胶后的晶圆的处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晗阳，杨云春，赵博，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：