一种深孔结构的外延生长预处理方法技术

本发明专利技术提供一种深孔结构的外延生长预处理方法，包括提供衬底，对衬底进行刻蚀形成深孔结构；在刻蚀后两小时内，利用刻蚀气体氟化铵(NH4F)和氟化氢铵(NH 4F

【技术实现步骤摘要】
一种深孔结构的外延生长预处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种深孔结构的外延生长预处理方法。

技术介绍

[0002]近年来，由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，55nm CIS(CMOS图像传感器)像素尺寸从1.12um缩小到0.7um，但受到光刻胶的深宽比以及离子注入工艺的深度和浓度限制，传统平面高深宽比光刻和高能离子注入工艺已无法满足高端CIS要求，现通过深孔结构外延生长(Super Cap
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EPI)形成超深光电二极管(PD)结构，再做其他表面器件，从而得到高像素的CIS器件。外延沉积前，需要非常洁净的硅表面，这样才能够保证外延沉积的质量。
[0003]在现有技术中，通常利用湿法药液对深孔结构表面进行预处理，以使硅表面符合外延生长工艺的条件，但利用湿法药液液体易挂壁，形成气泡，同时会导致深孔结构底部气体排出困难，影响处理效果，从而造成深孔结构表面凹凸不平，对后续孔内外延沉积造成不利影响。具体的，请参考图1和图2，图1和图2显示为现有技术中采用湿法药液对深孔结构表面进行预处理的结构示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深孔结构的外延生长预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，对所述衬底进行刻蚀形成深孔结构；步骤二、在刻蚀后两小时内，利用刻蚀气体氟化铵(NH4F)和氟化氢铵(NH 4F
·
HF)对所述深孔结构进行预处理，以去除所述深孔结构侧壁和底部的自然氧化层；步骤三、采用外延生长在所述深孔结构中形成外延层；步骤四、通过FA切片以及SEM数据判断所述外延层的生长质量以及所述深孔结构轮廓状况。2.根据权利要求1所述的深孔结构的外延生长预处理方法，其特征在于，步骤一中所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的深孔结构的外延生长预处理方法，其特征在于，步骤二中所述自然氧化层为SiO2。4.根据权利要求3所述的深孔结构的外延生长预处理方法，其特征在于，步骤二中所述刻蚀气体NH4F和NH 4F
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HF与所述自然氧化层SiO2的化学反应包括：NH4F+NH4F.HF+SiO2
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【专利技术属性】
技术研发人员：彭勇，杨德明，王勇，马寒骏，包赛赛，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：