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一种深孔结构的外延生长预处理方法技术
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文档序号:37344598
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本发明提供一种深孔结构的外延生长预处理方法,包括提供衬底,对衬底进行刻蚀形成深孔结构;在刻蚀后两小时内,利用刻蚀气体氟化铵(NH4F)和氟化氢铵(NH 4F
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该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。
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