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本发明提出了一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，用以解决现有工艺生长的上包层厚度偏薄，不能满足实际性能需要的技术问题。本发明提出一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，要求上包层连续进行至少四次生长和退火，上包层厚度满足要达到32μm以上的要求，且...
该专利属于河南仕佳光子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河南仕佳光子科技股份有限公司授权不得商用。

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