层叠结构体制造技术

本发明专利技术的层叠结构体是在基底基板上具备包含α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体的具有刚玉型结晶结构的半导体膜的层叠结构体，其中，半导体膜的平均膜厚为10μm以上，半导体膜呈凸状或凹状翘曲，半导体膜的翘曲量为20μm以上64μm以下。64μm以下。64μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠结构体


[0001]本专利技术涉及层叠结构体。

技术介绍

[0002]近年来，氧化镓(Ga2O3)作为半导体用材料备受关注。已知氧化镓具有α、β、γ、δ及ε这5个晶型，其中，α－Ga2O3的带隙非常大，达到5.3eV，作为功率半导体用材料备受期待。不过，α－Ga2O3为亚稳相，因此，单晶基板无法实用化，通常以蓝宝石基板上的异质外延生长形成。
[0003]例如，专利文献1记载有如下例子，即，在c面蓝宝石基板上形成α－(Al
0.02
Ga
0.98
)2O3层和α－Ga2O3层交替层叠得到的缓冲层，在缓冲层上形成α－Ga2O3膜作为结晶性氧化物半导体膜。该例中，关于结晶性氧化物半导体膜，膜中的旋转晶畴的含有率为0.02体积％以下，翘曲也减少(具体而言，从5mm间的两端的点通过的最短直线与凹或凸的顶点之间的最短距离减少至0.21μm)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2016－157878号公报
[0007]专利文献2：日本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层叠结构体，其中，在基底基板上具备包含α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体的具有刚玉型结晶结构的半导体膜，所述层叠结构体的特征在于，所述半导体膜的平均膜厚为10μm以上，所述半导体膜呈凸状或凹状翘曲，所述半导体膜的翘曲量为20μm以上64μm以下。2.根据权利要求1所述的层叠结构体，其特征在于，在俯视所述半导体膜时的俯视图形中，画出从所述俯视图形的重心即点G通过且彼此正交的2个直线X、Y，在直线X上确定与点G分别相距20mm的2点A、B，并在直线Y上确定与点G分别相距20mm的2点C、D，确定所述半导体膜的表面处的点A与点B之间的曲线AB上的任意点中的至线段AB的距离最长的点P，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：福井宏史，渡边守道，吉川润，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：